دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور مقاله ارائه دو ساختار برای افزاره نانومتری IMOS به منظور کاهش ولتاژهای بایاس و مقایسه آنها با ساختار های متداول
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مقاله ارائه دو ساختار برای افزاره نانومتری IMOS به منظور کاهش ولتاژهای بایاس و مقایسه آنها با ساختار های متداول دارای ۸ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله ارائه دو ساختار برای افزاره نانومتری IMOS به منظور کاهش ولتاژهای بایاس و مقایسه آنها با ساختار های متداول کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله ارائه دو ساختار برای افزاره نانومتری IMOS به منظور کاهش ولتاژهای بایاس و مقایسه آنها با ساختار های متداول،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله ارائه دو ساختار برای افزاره نانومتری IMOS به منظور کاهش ولتاژهای بایاس و مقایسه آنها با ساختار های متداول :
تعداد صفحات:۸
چکیده:
ترانزیستورهای ماسفت، به علت خواص مقیاس پذیری بسیار خوب، در چندین دهه گذشته از محبوبیت بسیار بالایی برخوردار بوده اند. با این وجود، ورود به حوزه ابعاد نانو این افزاره را دچار مشکلات متعددی کرده است. یکی از اساسی ترین مشکلات افزاره های ماسفت در ابعاد نانو، محدودیت شیب زیر آستانه(S)می باشد.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
