مقاله اتصالات اهمی غیر آلیاژی با رشد MOCVD +-InxGa1-xAs روی n-GaAs در دیود لیزر پرقدرت InGaAs/GaAs

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله اتصالات اهمی غیر آلیاژی با رشد MOCVD +-InxGa1-xAs روی n-GaAs در دیود لیزر پرقدرت InGaAs/GaAs دارای ۷ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله اتصالات اهمی غیر آلیاژی با رشد MOCVD +-InxGa1-xAs روی n-GaAs در دیود لیزر پرقدرت InGaAs/GaAs  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله اتصالات اهمی غیر آلیاژی با رشد MOCVD +-InxGa1-xAs روی n-GaAs در دیود لیزر پرقدرت InGaAs/GaAs،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله اتصالات اهمی غیر آلیاژی با رشد MOCVD +-InxGa1-xAs روی n-GaAs در دیود لیزر پرقدرت InGaAs/GaAs :

تعداد صفحات:۷

چکیده:

کاربرد رشد MOCVD لایه پوشاننده n+-I مقاله اتصالات اهمی غیر آلیاژی با رشد MOCVD +-InxGa1-xAs روی n-GaAs در دیود لیزر پرقدرت InGaAs/GaAsGa1-xAs برای ایجاد یک اتصال اهمی غیر آلیاژی با ادوات بر پایه GaAs بررسی شده است. مقاومت اتصال ویژه خیلی پایینی(فرمول در متن اصلی مقاله) با استفاده از سیستم اتصال فلزی معمول Ni/AuGe/Ni/Au اندازه گیری شده است.یک مدل نظری برای تونل زنی از سد نیمه رسانا – فلز با استفاده از تقریب WKB بدست آمده است که تناسب خوبی را با نتایج آزمایشگاهی نشان می دهد. ساخت HPDL با استفاده از این لایه های پوشاننده ،InGaAs مقاومت بسیار پایین قطعه را تضمین می کند، که در مقایسه با ساختارهای HPDLی که از لایه های پوشاننده GaAs استفاده می کنند، چهار برابر کمتر است.