دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور مقاله مطالعه ترانزیستور SOI MOSFET دو گیتی با اتصال شاتکی به عنوان سورس و درین
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مقاله مطالعه ترانزیستور SOI MOSFET دو گیتی با اتصال شاتکی به عنوان سورس و درین دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله مطالعه ترانزیستور SOI MOSFET دو گیتی با اتصال شاتکی به عنوان سورس و درین کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله مطالعه ترانزیستور SOI MOSFET دو گیتی با اتصال شاتکی به عنوان سورس و درین،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله مطالعه ترانزیستور SOI MOSFET دو گیتی با اتصال شاتکی به عنوان سورس و درین :
تعداد صفحات:۵
چکیده:
ترانزیستور SOI MOSFET دو گیتی به عنوان نسل آتی ترانزیستورMOSFETدر مقیاس نانو معرفی شده است. کاهش ضخامت سورس و درین در این افزاره موجب کاهش جریان نشتی و بهبود عملکرد افزاره می گردد. لیکن ایجاد نواحی سورس و درین با ضخامت کم، به لحاظ تکنولوژی ساخت مشکل بوده و نیز منجر به افزایش مقاومتهای پارازیتی سورس و درین می گردد.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
