مقاله بررسی تغییر در عملکرد ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی بر مبنای تغییرقطر و طول کانال، و چگالی ناخالصی

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله بررسی تغییر در عملکرد ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی بر مبنای تغییرقطر و طول کانال، و چگالی ناخالصی دارای ۸ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله بررسی تغییر در عملکرد ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی بر مبنای تغییرقطر و طول کانال، و چگالی ناخالصی  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله بررسی تغییر در عملکرد ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی بر مبنای تغییرقطر و طول کانال، و چگالی ناخالصی،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله بررسی تغییر در عملکرد ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی بر مبنای تغییرقطر و طول کانال، و چگالی ناخالصی :

تعداد صفحات:۸

چکیده:

ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی جایگزینی نویدبخش برای ترانزیستورهای سیلیکونی درتکنولوژی آینده ادوات الکترونیکی هستند. در این مقاله اثر تغییرات چگالی ناخالصی سورس/ درین و طول گیت بر تغییر نسبت جریان حالت روشن به حالت خاموش (فرمول در متن اصلی مقاله) برای یکترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی با گیت هم محورکه کانال آن از نانولوله کربنی نیمه هادی زیگزاگ (n,0) بوده، بررسی و با نمایش ساختار باند انرژی و تابع توزیع الکترون اثر این تغییرات توجیه می گردد. اگر (فرمول در متن اصلی مقاله) و n از ۱۰ تا ۱۷ در نظر گرفته شود، با افزایش a افزایش قطر نانو لوله کربنی) در هر سطحی از ناخالصی و در هر طول کانالی ، نسبت جریان روشن به خاموش کاهش و برای مقادیر ثابت a با افزایش b به طور محدود افزایش می یابد a عددی طبیعی و b برابر ۱ یا ۲ است. از طرفی افزایش چگالی ناخالصی در سورس/ درین و نیز کاهش طول گیت در یک n مشخص، باعث کاهش نسبت جریان حالت روشن به حالت خاموش می شود