مقاله بررسی نسبت جریان حالت روشن به حالت خاموش در ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی بر مبنای تغییر در ضخامت عایق گیت

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله بررسی نسبت جریان حالت روشن به حالت خاموش در ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی بر مبنای تغییر در ضخامت عایق گیت دارای ۸ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله بررسی نسبت جریان حالت روشن به حالت خاموش در ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی بر مبنای تغییر در ضخامت عایق گیت  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله بررسی نسبت جریان حالت روشن به حالت خاموش در ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی بر مبنای تغییر در ضخامت عایق گیت،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله بررسی نسبت جریان حالت روشن به حالت خاموش در ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی بر مبنای تغییر در ضخامت عایق گیت :

تعداد صفحات:۸

چکیده:

در این مقاله اثر تغییرات ضخامت عایق گیت در تغییر نسبت جریان حالت روشن به حالت خاموش (Ion/Ioff) برای یک ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی با گیت هم محور که کانال آن از نانولوله کربنی نیمه هادی زیگزاگ (n,0) بوده، بررسی می گردد. نواحی سورس و درین با آلایش نانولوله و در راستای کانال ایجاد شده اند. شبیه سازی افزاره با استفاده از شیوه تابع گرین غیر تعادلی انجام شده است که معادله پوآسن را به صورت خود سازگار با معادله شرودینگر حل می کند. مشاهد می شود در کل با کاهش ضخامت عایق گیت نسبت جریان حالت روشن به حالت خاموش افزایش می یابد. اما در همه ی موارد شرایط اینگونه نیست. در قطرهای بالا، کاهش ضخامت عایق گیت تا یک مقدار مشخص عملکرد را بهبود می بخشد و کاهش بیشتر، نسبت Ion/Ioff را کاهش می دهد. کاهش قطر کانال نانولوله کربنی نیز موجب بهبود عملکرد ترانزیستور می گردد. همچنین میزان بهبود در عملکرد افزاره با تغییر قطر کانال و ضخامت عایق گیت، در دو ولتاز گیت ۱ و ۰۴ ولت، مورد بررسی قرار می گیرد.