دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور مقاله طراحی و بهینه سازی یک تقویت کننده گسترده CMOS با در نظر گرفتن عناصر پارازیتیک بوسیله الگوریتم ژنتیک چند هدفه
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مقاله طراحی و بهینه سازی یک تقویت کننده گسترده CMOS با در نظر گرفتن عناصر پارازیتیک بوسیله الگوریتم ژنتیک چند هدفه دارای ۸ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله طراحی و بهینه سازی یک تقویت کننده گسترده CMOS با در نظر گرفتن عناصر پارازیتیک بوسیله الگوریتم ژنتیک چند هدفه کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله طراحی و بهینه سازی یک تقویت کننده گسترده CMOS با در نظر گرفتن عناصر پارازیتیک بوسیله الگوریتم ژنتیک چند هدفه،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله طراحی و بهینه سازی یک تقویت کننده گسترده CMOS با در نظر گرفتن عناصر پارازیتیک بوسیله الگوریتم ژنتیک چند هدفه :
تعداد صفحات:۸
چکیده:
در این مقاله یک تقویت کننده گسترده CMOS کاملا مجتمع برای کاربردهای ارتباطات بیسیم و گیرنده های اپتیکی پهن باند طراحی و بهینه سازی خواهد شد. این تقویت کننده چهار طبقه با ترکیب Cascode می باشد. مساله مهم در طراحی مدارهای مجتمع RF در تکنولوژی CMOS توجه به عناصر پارازیتیک ترانزیستور و سلفهای مجتمع آن می باشد و این مساله محاسبات دستی طراحی را پیچیده می کند. در این مقاله پس از انتخاب پیکربندی مدار توسط کاربر مقادیر اجزاء مدار شامل ابعاد ترانزیستور ها، ولتاژهای بایاس، تعداد دورها و قطر سیم پیچ سلف های مدار توسط الگوریتم بهینه سازی پیشنهاد شده و مقادیر پهنای باند، بهره، توان مصرفی، مساحت تراشه و مقادیر S11 و S22 توسط این الگوریتم بهینه می شود. یک ویژگی مهم این مقاله استفاده از مدلهای دقیق عناصر در شبیه سازیو به دست آوردن جوابی است که به واقعیت بسیار نزدیک است. الگوریتم بهینه سازی بکار گرفته شده الگوریتم ژنتیک چند هدفه مبتنی بر جبهه پارتو توزیع شده می باشد که برای بهینه سازی مدارهای RF تهیه شده است. برنامه های الگوریتم با Matlab نوشته شده است و شبیه سازی مدار بوسیله HspiceRF با تکنولوژی ۰۱۸um CMOS صورت گرفته است.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
