مقاله تعیین ثابتهای اپتیکی فیلم های نازک سولفید کادمیم آلائیده با ایندیم (CdS:In ) تهیه شده به روش تبخیر حرارتی

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله تعیین ثابتهای اپتیکی فیلم های نازک سولفید کادمیم آلائیده با ایندیم (CdS:In ) تهیه شده به روش تبخیر حرارتی دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله تعیین ثابتهای اپتیکی فیلم های نازک سولفید کادمیم آلائیده با ایندیم (CdS:In ) تهیه شده به روش تبخیر حرارتی  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله تعیین ثابتهای اپتیکی فیلم های نازک سولفید کادمیم آلائیده با ایندیم (CdS:In ) تهیه شده به روش تبخیر حرارتی،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله تعیین ثابتهای اپتیکی فیلم های نازک سولفید کادمیم آلائیده با ایندیم (CdS:In ) تهیه شده به روش تبخیر حرارتی :

تعداد صفحات:۵

چکیده:

لایه های نازک سولفید کادمیم به روش تبخیر حرارتی در خلأ با آهنگ nm/s 3/5 به ضخامت تقریبی nm 600 در دمای ۲۲۵ درجه سانتیگراد تهیه شدهاند. سپس با روش تبخیر حرارتی لایه ایندیم به ضخامتهای،۵ nm و ۱۰nm و ,۱۵ nm و ۲۰ nmروی لایه هایCdS لایهگذاری شده اند و از دستگاه کاشت یون (MBM) برای نفوذ اتمهای ایندیم به منظور کاهش مقاومت الکتریکی لایه های CdSاستفاده شده است . ثابتهای اپتیکی (n,k) ضریب جذب و گاف انرژی این لایه در ناحیه مرئی مورد مطالعه قرار گرفته ا س ت. برای مطالعه ریخت، تعیین اندازه دان ه ها و ساختار لای ه ها از آنالیزهای SEM و XRD استفاده شده اس ت . الگوی پراش پرتو X نشان م ی دهد که لای ه ها دارای ساختار ششگوشی با رشد ترجیحی صفحه ( ۱۰۱ ) هستند. گاف انرژی لایهها بسته به میزان ضخامت ایندیم از eV و۲/۳۹ تا eV 2/34 تغییر میکند. مقاومت الکتریکی لایهها که با روش کاوه چارنقطهای اندازهگیری شده است از ۴ در ×۱۰-۲ cm 8 تا ×۱۰-۲ cm تغییر است.