دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور مقاله اثر طول گیت بر روی فرکانس قطع و منیمم نویز ترانزیستورهای اثر میدان AlGaN/GaN
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مقاله اثر طول گیت بر روی فرکانس قطع و منیمم نویز ترانزیستورهای اثر میدان AlGaN/GaN دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله اثر طول گیت بر روی فرکانس قطع و منیمم نویز ترانزیستورهای اثر میدان AlGaN/GaN کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله اثر طول گیت بر روی فرکانس قطع و منیمم نویز ترانزیستورهای اثر میدان AlGaN/GaN،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله اثر طول گیت بر روی فرکانس قطع و منیمم نویز ترانزیستورهای اثر میدان AlGaN/GaN :
تعداد صفحات:۵
چکیده:
در این مقاله یک مدل تحلیلی برای فرکانس قطع و منیمم نویز ترانزیستورهای اثر میدان با تحرک پذیری بالای الکترونی AlGaN/GaN ارائه شده که قادر می سازد بطور دقیق اثر طول گیت را بر فرکانس قطع و مینیمم نویز بدست آوریم . در این مدل زیر باندهای کوانتمی پر ونیمه پر چاه کوانتمی دو بعدی ، بهمراه ترکیبی از حل معادله شرودینگر و پواسون و وارد کردن اثر حالتهای تله های الکترونی ، جریان در سد AlGaN ، جریان کل گیت و دمای کانال چاه کوانتمی دو بعدی منظور شده است . نتایج حاصله از مدل تطابق خوبی با داده های تجربی موجود برای ساختار HEMT دارد
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
