مقاله بررسی پاشندگی پلاریتون سطحی مگنتو پلااسمون در ابر شبکه های آلائیده – غیر آلائیده GaN-AlN

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله بررسی پاشندگی پلاریتون سطحی مگنتو پلااسمون در ابر شبکه های آلائیده – غیر آلائیده GaN-AlN دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله بررسی پاشندگی پلاریتون سطحی مگنتو پلااسمون در ابر شبکه های آلائیده – غیر آلائیده GaN-AlN  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله بررسی پاشندگی پلاریتون سطحی مگنتو پلااسمون در ابر شبکه های آلائیده – غیر آلائیده GaN-AlN،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله بررسی پاشندگی پلاریتون سطحی مگنتو پلااسمون در ابر شبکه های آلائیده – غیر آلائیده GaN-AlN :

تعداد صفحات:۵

چکیده:

تنسور دی الکتریک محیط م ؤثر ابر شبکه برای شرح پاسخ نـوری ابـر شـبکه نیمرسـانای آلائیـده – غیـر آلائیـده GaN-AlN در میـدان مغناطیسی خارجی بکار برده شده است . منحنی پاشند گی پلاریتون سطحی مگنتوپلاسمون برای ابـر شـبکه هـای آلائیـده – غیـر آلائیـده GaN-AlN محاسبه شده است . خواص پلاریتون سطحی برای هندسه های عمودی ( میدان مغناطیسی اعمال شده عمود بر سـطح لایـه ها می باش د ) و فاراده ( میدان مغناطیسی موازی سطح لایه ها و بردار عبور می باشد ) به تفصیل مورد بحـث قـرار گرفتـه اسـت و نتـایج بدست آمده با یکدیگر مقایسه شده اند . منحنی های پاشنگی محاسیه شده برای ابر شبکه هـای آلائیـده – غیـر آلائیـده GaN-AlN بـه تغییرات میدان مغناطیسی اعمال شده و کسر حجمی لایه آلائیده حساس می باشند .