مقاله بررسی تاثیر پارامترهای ساختاری بر مشخصههای الکتریکی افزارههای نانومتری DG-SOI MOSFETs در ناحیه زیر آستانه

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله بررسی تاثیر پارامترهای ساختاری بر مشخصههای الکتریکی افزارههای نانومتری DG-SOI MOSFETs در ناحیه زیر آستانه دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله بررسی تاثیر پارامترهای ساختاری بر مشخصههای الکتریکی افزارههای نانومتری DG-SOI MOSFETs در ناحیه زیر آستانه  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله بررسی تاثیر پارامترهای ساختاری بر مشخصههای الکتریکی افزارههای نانومتری DG-SOI MOSFETs در ناحیه زیر آستانه،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله بررسی تاثیر پارامترهای ساختاری بر مشخصههای الکتریکی افزارههای نانومتری DG-SOI MOSFETs در ناحیه زیر آستانه :

تعداد صفحات:۵

چکیده:

در این مقاله به بررسی اثرات تغییر پارامترهای ساختاری بر روی مشخصههای الکتریکی افزاره نانومتری ماسفت دو گیتی سیلیکان بر روی عایق DG-SOIMOSFETs در ناحیه زیر آستانه پرداخته شده است . شبیه سازیهای انجام شده نشان میدهند که کاهش ضخامت بدنه منجر به کاهش ارتفاع سد پتانسیل و افزایش خازن موثر گیت (CG,eff) میشود، در صورتیکه جریان حالت روشن افزاره (ION) کاهش می یابد . با کاهش طول نواحی سورس و درین (LD/LS) ، خازنهای لبهای(CFringe) کوچک می گردند و در نتیجهCG,effکاهش می یابد، این در حالی است که مشخصه جریان – ولتاژ و نیز ارتفاع سد پتانسیل تغییر چندانی نمی کنند