دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور مقاله کاهش جریان نشتی در نانوترانزیستورهای با دو گیت سیلیکون فوق نازک
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مقاله کاهش جریان نشتی در نانوترانزیستورهای با دو گیت سیلیکون فوق نازک دارای ۸ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله کاهش جریان نشتی در نانوترانزیستورهای با دو گیت سیلیکون فوق نازک کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله کاهش جریان نشتی در نانوترانزیستورهای با دو گیت سیلیکون فوق نازک،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله کاهش جریان نشتی در نانوترانزیستورهای با دو گیت سیلیکون فوق نازک :
تعداد صفحات:۸
چکیده:
قسمتهای مهم در ساختار نانوترانزیستور ها کانال عبوری حامل ها و گی ت دی الکتریک می باشند . با بهبود شرایط و نوع کانال و گیت بکار رفته در ترانزیستورها میتوان جریان عبوری را تا حد دلخواهی افزایش داد . در این پروژه از نانولولهی کربنی با توجه به ویژگی – های خاصش به عنوان کانال نام می بریم و چگونگی عبور حامل ها را از این کانال با استفاده از روش تحلیلی لاندائو – بوتیکر مورد مطالعـه قرار دادیم . نتایج نشان می دهند که به دلیل افزایش مقاومت در برابر حرکت حامل ها که باعث کاهش جریان مطلوب از کانال ایجاد شده در زیر گیت میشود، میتوان از سیستمهای دو گیتی به جای سیستم یک گیتی در ترانزیستورها استفاده نمود
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
