مقاله بررسی خواص ترابرد الکترونها در نیمرساناهای InP و GaAs برای طراحی قطعات اپتپالکترونیکی در حد طول موج های بلند

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله بررسی خواص ترابرد الکترونها در نیمرساناهای InP و GaAs برای طراحی قطعات اپتپالکترونیکی در حد طول موج های بلند دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله بررسی خواص ترابرد الکترونها در نیمرساناهای InP و GaAs برای طراحی قطعات اپتپالکترونیکی در حد طول موج های بلند  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله بررسی خواص ترابرد الکترونها در نیمرساناهای InP و GaAs برای طراحی قطعات اپتپالکترونیکی در حد طول موج های بلند،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله بررسی خواص ترابرد الکترونها در نیمرساناهای InP و GaAs برای طراحی قطعات اپتپالکترونیکی در حد طول موج های بلند :

تعداد صفحات:۵

چکیده:

با استفاده از شبیه سازی مونتو کارلو، مدلی سه ذره ای برای مقایسه خواص ترابرد الکترونها در دو نیمرسانای InPو GaAs در حضور میدانهای شدید مورد استفاده قرار گرفته است. عوامل مختلف پراکندگی الکترونها از فونون ها و اتم های ناخالصی در این شبیه سازی در نظر گرفته شده است. مشخصه های ترابرد الکترونها در دو ماده نشان می دهد که سرعت سوق الکترونها در InP بیشتر ازGaAs بوده و در میدان الکتریکی بزرگتری رخ می دهد. اشباع سریع سرعت سوق در InP کاربردهای اپتوالکترونی این ماده را پیشنهاد می کند. این محاسبات در توافق خوبی با اندازه گیری های تجربی است.