مقاله نحوه تشکیل لایه اکسیدی روی InSb به روش PECVD و بررسی فصل مشترک توسط اندازه گیری C-V

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله نحوه تشکیل لایه اکسیدی روی InSb به روش PECVD و بررسی فصل مشترک توسط اندازه گیری C-V دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله نحوه تشکیل لایه اکسیدی روی InSb به روش PECVD و بررسی فصل مشترک توسط اندازه گیری C-V  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله نحوه تشکیل لایه اکسیدی روی InSb به روش PECVD و بررسی فصل مشترک توسط اندازه گیری C-V،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله نحوه تشکیل لایه اکسیدی روی InSb به روش PECVD و بررسی فصل مشترک توسط اندازه گیری C-V :

تعداد صفحات:۵

چکیده:

در این پژوهش لایه های اکسیدی دی اکسی دسیلیسیم (SiO2) سپس نیترید سیلیسیم (Si3N4) با ضخامت مناسب، بر روی پولک ایندیم آنتیموناید ( InSb)به روش PECVD، نشانده شده است. مقدار ضخامت اکسید یکی از عواملی است که می تواند در نشت سطحی جریان در آشکارساز تابش مادون قرمز در ساختار MIS نقش مهمی داشته باشد. کلیه مراحل لایه نشانی، ضرورت غیرفعال سازی سطح نیمه هادی، کیفیت لایه نهشته شده، و تشخیص نوع زیرلایه به کمک منحنی C-V در این مقاله مورد بررسی قرار می گیرد.