مقاله مقایسه خواص ترابرد الکترونی در نیمرساناهای GaAs و ۶H-SiC در میدان های الکتریکی شدید با استفاده از شبیه سازی آنسامبلی مونت کارلو

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله مقایسه خواص ترابرد الکترونی در نیمرساناهای GaAs و ۶H-SiC در میدان های الکتریکی شدید با استفاده از شبیه سازی آنسامبلی مونت کارلو دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله مقایسه خواص ترابرد الکترونی در نیمرساناهای GaAs و ۶H-SiC در میدان های الکتریکی شدید با استفاده از شبیه سازی آنسامبلی مونت کارلو  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله مقایسه خواص ترابرد الکترونی در نیمرساناهای GaAs و ۶H-SiC در میدان های الکتریکی شدید با استفاده از شبیه سازی آنسامبلی مونت کارلو،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله مقایسه خواص ترابرد الکترونی در نیمرساناهای GaAs و ۶H-SiC در میدان های الکتریکی شدید با استفاده از شبیه سازی آنسامبلی مونت کارلو :

تعداد صفحات:۵

چکیده:

خواص ترابرد الکترونها در نیمرسانای ۶H-SiCدر میدان های الکتریکی شدید با استفاده از شبیه سازی آنسامبلی انجام پذیرفته است. در این شبیه سازی از مدلی سه دره ای با در نظر گرفتن پراکندگی الکترونها از ارتعاشات شبکه و عوامل ناخالصی استفاده شده است. مشخصه های ترابرد الکترونها در ۶H-SiC در مقایسه با GaAs نشان می دهد که سرعت سوق الکترونی در دو ماده تقریبا با هم برابر بوده، ولی میدان الکتریکی آستانه ۶H-SiC تقریبا پنجاه برابر GaAs است. لذا می توان از ۶H-SiC در ساخت قطعات الکترونیکی در میدان های الکتریکی شدیدتر استفاده نمود.