مقاله آنالیز و شبیه سازی کاهش سد پتانسیل ناشی از افزایش ولتاژ درین در ترانزیستورهای اثر میدان فلز – نیمه هادی کربید سیلیسیم

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله آنالیز و شبیه سازی کاهش سد پتانسیل ناشی از افزایش ولتاژ درین در ترانزیستورهای اثر میدان فلز – نیمه هادی کربید سیلیسیم دارای ۷ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله آنالیز و شبیه سازی کاهش سد پتانسیل ناشی از افزایش ولتاژ درین در ترانزیستورهای اثر میدان فلز – نیمه هادی کربید سیلیسیم  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله آنالیز و شبیه سازی کاهش سد پتانسیل ناشی از افزایش ولتاژ درین در ترانزیستورهای اثر میدان فلز – نیمه هادی کربید سیلیسیم،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله آنالیز و شبیه سازی کاهش سد پتانسیل ناشی از افزایش ولتاژ درین در ترانزیستورهای اثر میدان فلز – نیمه هادی کربید سیلیسیم :

تعداد صفحات:۷

چکیده:

دراین مقاله کاهش سد پتانسیل کانال ناشی از افزایش ولتاژ درین DIBL و وابستگی آن به چگالی ناخالصی های کانال در ترانزیستورهای اثر میدان فلز – نیمه هادی MESFET) کربید سیلیسم آنالیز و شبیه سازی شده است نتایج نشان میدهند که با اعمال ولتاژ بالا به درین بویژه در مسفتهای کربید سیلیسیمی که نسبت طول گیت به ضخامت کانال آن کوچکتر از ۳ است ولتاژ آستانه به شدت افزایش می یابد همچنین افزایش چگالی ناخالصی های کانال اثر نامطلوبی بویژه در ترانزیستورهایی با طول گیت کوچکی دارد یکی از مهمترین نتایج بدست آمده از این شبیه سازی این است که برای کم کردن اثر DIBL در مسفتهای کربید سیلیسیمی بخصوص هنگامی که ناخالصی های کانال از ۵×۱۷ ۱۰ cm-3 بیشتر است باید نسبت طول گیت به ضخامت کانال بزرگتر از ۳ درنظر گرفته شود.