مقاله ترانزیستورهای MOS در مقیاس نانو : مقایسه مشخصههای الکتریکی ترانزیستورهای SOI DOUBLE GATE MOSFET و Fully Depleted MOSFET


در حال بارگذاری
مقاله ترانزیستورهای MOS در مقیاس نانو : مقایسه مشخصههای الکتریکی ترانزیستورهای SOI DOUBLE GATE MOSFET و Fully Depleted MOSFET
23 اکتبر 2022
فایل ورد و پاورپوینت
2120
1 بازدید
۷۹,۷۰۰ تومان
خرید

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله ترانزیستورهای MOS در مقیاس نانو : مقایسه مشخصههای الکتریکی ترانزیستورهای SOI DOUBLE GATE MOSFET و Fully Depleted MOSFET دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله ترانزیستورهای MOS در مقیاس نانو : مقایسه مشخصههای الکتریکی ترانزیستورهای SOI DOUBLE GATE MOSFET و Fully Depleted MOSFET  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله ترانزیستورهای MOS در مقیاس نانو : مقایسه مشخصههای الکتریکی ترانزیستورهای SOI DOUBLE GATE MOSFET و Fully Depleted MOSFET،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله ترانزیستورهای MOS در مقیاس نانو : مقایسه مشخصههای الکتریکی ترانزیستورهای SOI DOUBLE GATE MOSFET و Fully Depleted MOSFET :

تعداد صفحات:۵

چکیده:

این مقاله دو ساختار همارز Fully Depleted Silicon On Insulator MOSFET (SOI MOSFET) و Double Gate MOSFET (DG MOSFET)مورد بررسی و شبیهسازی قرار گرفتهاندساختار DGMOSFET دارای Ioff کمتری نسبت به ساختار SOI میباشد . نسبت Ion/Ioff در ساختار DG بالاتر از ساختار SOI میباشد . اثر کاهش سد پتانسیل القا شده از درین(DIBL) در SOI MOSFETشدیدتر ازDG MOSFET ساختاراست . DG`دارای قابلیت حرکت بالاتری نسبت به ساختار SOIمیباشد

  راهنمای خرید:
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.