مقاله شبیه سازی ترابرد الکترونها در ترانزیستور اثر میدان SiGe برای کاربرد در توان و بهره بالا


در حال بارگذاری
مقاله شبیه سازی ترابرد الکترونها در ترانزیستور اثر میدان SiGe برای کاربرد در توان و بهره بالا
23 اکتبر 2022
فایل ورد و پاورپوینت
2120
2 بازدید
۹۷,۷۰۰ تومان
خرید

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله شبیه سازی ترابرد الکترونها در ترانزیستور اثر میدان SiGe برای کاربرد در توان و بهره بالا دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله شبیه سازی ترابرد الکترونها در ترانزیستور اثر میدان SiGe برای کاربرد در توان و بهره بالا  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله شبیه سازی ترابرد الکترونها در ترانزیستور اثر میدان SiGe برای کاربرد در توان و بهره بالا،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله شبیه سازی ترابرد الکترونها در ترانزیستور اثر میدان SiGe برای کاربرد در توان و بهره بالا :

تعداد صفحات:۵

چکیده:

شبیه سازی مونتو کارلو برای ترابرد الکترونها در حالات پایدار و نا پایدار ترانزیستور اثر میدان ساخته شده از ماده SiGe انجام پذیرفته است . مشخصه های ترابرد برای ترانزیستور شبیه سازی شده توافق خوبی را با نمونه های آزمایشگاهی نشان می دهد . همچنین پاسخ فرکانسی ترانزیستور بررسی و I-V الکترونها و نمودار مقدار بهره جریانی از مرتبه ۹۰±۱۰ GHz برای آن بدست آمده است

  راهنمای خرید:
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.