دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور مقاله مطالعه نقص های تشکیل شده در طی فرایند رشد در نیمرسانای AlGaNP
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مقاله مطالعه نقص های تشکیل شده در طی فرایند رشد در نیمرسانای AlGaNP دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله مطالعه نقص های تشکیل شده در طی فرایند رشد در نیمرسانای AlGaNP کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله مطالعه نقص های تشکیل شده در طی فرایند رشد در نیمرسانای AlGaNP،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله مطالعه نقص های تشکیل شده در طی فرایند رشد در نیمرسانای AlGaNP :
تعداد صفحات:۵
چکیده:
در این مقاله نقص های تشکیل ش ده در حین فراین د رش د در نیمرسانای جدید AlGaNP که توسط روش روآراستی پرتوـ ملکولی رشد داده شده ا ست به کمک نتـایج حاصل از اندازه گیریهای تجربی فوتولومینسانس (PL) و نیز تشدید مغناطیسی آشکار شده به روش اپتیکی(ODMR)مورد مطالعه قرار گرفته اند . وابـستگی طیفهـا بـهمقادیر آلومینیوم (Al) م وجود در نمونه ها و نیز درجه حرارت نشان می دهد که دو مرکز پارامغناطیسی مج زا که نقص های موجود در شبکه را تشکیل می دهند در نمونـهها وجود دارند . بررسی طیفهای تقریب همگن ثبت شده در ازمایشات ODMR و توافق منحنی های تئوری و عملی بدست آمده نشان می دهد که ایـن نقـصها دو گـروهاتمهای گالیم (Ga) میانینی هستند که در فرایند رشد بوجود آمده ا ند یعنی GaiA (i) : که توسط اتمهای گروه GaiB (ii)و IIIکه توسـط اتمهـای گـروهVو یا اتمهای گروه V و IIIاحاطه شده اند.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
