مقاله اثر تنش و کشش بلوری در ساختار باندهای انرژی لایه های نازک نیمه هادی InGaAs

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله اثر تنش و کشش بلوری در ساختار باندهای انرژی لایه های نازک نیمه هادی InGaAs دارای ۷ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله اثر تنش و کشش بلوری در ساختار باندهای انرژی لایه های نازک نیمه هادی InGaAs  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله اثر تنش و کشش بلوری در ساختار باندهای انرژی لایه های نازک نیمه هادی InGaAs،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله اثر تنش و کشش بلوری در ساختار باندهای انرژی لایه های نازک نیمه هادی InGaAs :

تعداد صفحات:۷

چکیده:

در رشد لایه های نازک نیمه هادی و استفاده آنها در صنعت لیزرهای نیمه هادی بدلیل ناخوانا بودن ثابت شبکه های بلوری در لایه های رشد داده شده، تنش و کشش ایجاد می شود که خود باعث تغییر ساختار باندها و زیر باندهای انرزی در بلور نیمه هادی می گردد. برای محاسبه باندها وزیر باندها از اثر جهت شدگی اربیت – اربیت برای زیر باندهای حفره – سنگین (HH) و حفره – سبک (LH) ظرفیت صرفنظرنکرده ایم، اما از جفت شدگی اسپین – اربیت دوزیر باند ذکرشده با زیر باند شکافتی در K=0 چشم پوشی کرده ایم؛ زیراانرژی شکافتی بین این با ند و باندهای ذکر در حدی است که در فرایندهایی مانند بهره در لیزرهای نیمه هادی شرکت نمی کند و یا نقش بسیار کوچکی دارد.