مقاله مطالعه لبه جذب نوری و محاسبه گاف انرژی در لایه های بیشکل (V2O5-SiO)

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله مطالعه لبه جذب نوری و محاسبه گاف انرژی در لایه های بیشکل (V2O5-SiO) دارای ۸ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله مطالعه لبه جذب نوری و محاسبه گاف انرژی در لایه های بیشکل (V2O5-SiO)  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله مطالعه لبه جذب نوری و محاسبه گاف انرژی در لایه های بیشکل (V2O5-SiO)،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله مطالعه لبه جذب نوری و محاسبه گاف انرژی در لایه های بیشکل (V2O5-SiO) :

تعداد صفحات:۸

چکیده:

نمونه ها به صورت لایه های نازک ترکیبی از دو اکسید V2O5-SiO ، باروش تبخیر حرارتی در فشار حدودtorr6-10 ساخته وجهت بررسی وتحقیق لبه جذب نوری این لایه ها، طیف های جذبی آنها در طول موجهای ۲۰۰ تا ۸۰۰ نانومتر توسط اسپکتروفوتومتر UV-VIS تهیه گردید . مشاهده می شود که مکان لبه جذب نوری با کاهش درصد وزنی V2O5 در ترکیب، به سمت طول موج های یبیشتر (انرژی های کمتر)انتقال پیدا می کند.شکاف انرژی نوری (Eopt) نمونه ها با برون یابی از قسمت خطی (جذب با لا) روی محور (انرژی فوتون ورودی) بدست آمده ومعلوم شد که مقدار آن با کاهش درصد وزنی V2O5 در ترکیب از ۴/۱۴ به ۳/۹۴ کاهش نشان میدهد وبرای مطالعه ESR روی این سیستم پیشنهاد میشود.