دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور بررسی اثر میدان مغناطیسی بر جریان جابه جای اجباری نانوسیال درون میکروکانال باوجود منابع حرارتی گسسته
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
بررسی اثر میدان مغناطیسی بر جریان جابه جای اجباری نانوسیال درون میکروکانال باوجود منابع حرارتی گسسته دارای ۱۳ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد بررسی اثر میدان مغناطیسی بر جریان جابه جای اجباری نانوسیال درون میکروکانال باوجود منابع حرارتی گسسته کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی بررسی اثر میدان مغناطیسی بر جریان جابه جای اجباری نانوسیال درون میکروکانال باوجود منابع حرارتی گسسته،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن بررسی اثر میدان مغناطیسی بر جریان جابه جای اجباری نانوسیال درون میکروکانال باوجود منابع حرارتی گسسته :
تعداد صفحات :۱۳
چکیده مقاله:
در این پژوهش اثر میدان مغناطیسی و وجود منابع حرارتی گسسته در جریان جابهجایی اجباری نانوسیال آب-Al2O3 درون میکروکانال با در نظر گرفتن اثرات لزجت و گرمایش ژول مورد بررسی قرار گرفته است. میکروکانال از دوصفحه موازی تشکیل شده و روی دیوارهها منابع حرارتی شار ثابت با اندازه و فواصل مشخص قرار دارند. هدف از این پژوهش بررسی عددی تاثیر عدد هارتمن، عدد برینکمن، عدد ژول، درصد حجمی نانوذرات و تعداد منابع حرارتی بر روی میدان جریان و نرخ انتقال حرارت میباشد. برای این منظور معادلات پیوستگی، مومنتوم، انرژی به روش تفاضل محدود مبتنی بر حجم کنترل جبری و با استفاد از الگوریتم سیمپل بطور همزمان حل شدهاند. نتایج نشان میدهد که با تقسیم یک منبع حرارتی به منابع حرارتی کوچکتر نرخ انتقال حرارت افزایش مییابد. با افزایش درصد حجمی نانوذرات ، عدد برینکمن و عدد ژول عدد ناسلت موضعی کاهش مییابد. همچنین وجود میدان مغناطیسی در جریان نانوسیال با وجود اثرات لزجت و گرمایش ژول باعث کاهش عدد ناسلت متوسط میشود.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
