طراحی تقویت کننده ی کم نویز، کم توان با رویکرد بهبود خطینگی برای کاربردهای بی سیم ۱۰.۶-۳.۱ مبتنی بر تکنولوژی ۱۳۰CMOS نانومتر

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 طراحی تقویت کننده ی کم نویز، کم توان با رویکرد بهبود خطینگی برای کاربردهای بی سیم ۱۰.۶-۳.۱ مبتنی بر تکنولوژی ۱۳۰CMOS نانومتر دارای ۲۱ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد طراحی تقویت کننده ی کم نویز، کم توان با رویکرد بهبود خطینگی برای کاربردهای بی سیم ۱۰.۶-۳.۱ مبتنی بر تکنولوژی ۱۳۰CMOS نانومتر  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی طراحی تقویت کننده ی کم نویز، کم توان با رویکرد بهبود خطینگی برای کاربردهای بی سیم ۱۰.۶-۳.۱ مبتنی بر تکنولوژی ۱۳۰CMOS نانومتر،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن طراحی تقویت کننده ی کم نویز، کم توان با رویکرد بهبود خطینگی برای کاربردهای بی سیم ۱۰.۶-۳.۱ مبتنی بر تکنولوژی ۱۳۰CMOS نانومتر :

تعداد صفحات :۲۱

چکیده مقاله:

دراین مقاله روند طراحی یک تقویت کننده ی کمنویز، کمتوان، دوطبقه سورس مشترک را ارایه میدهیم. در ساختار پیشنهادی جهت بهبود خطینگی در توان و ولتاژ تغذیهی کم، از روش های تطبیق مشتق اصلاح شده و تغذیه ی مستقیم بدنه بهره گرفته شده است. سلفهای Ls، Lg و خازن Cex در طبقه سورس مشترک اول، بهمنظور ایجاد همزمان تطبیق امپدانس ورودی و نویزکم طراحی شده است. روش تغذیهی مستقیم بدنه برای کاهش ولتاژ تغذیه در طبقه های اول و دوم به کار رفته و درنهایت منجر به کاهش توان مصرفی میشود. طبقه دوم طراحی شده جهت بهبود خطینگی مدار، متشکل از دو ترانزیستور موازی سورس مشترک NMOS و سلف ارتقای بهرهLd1 است. ترانزیستور اصلی و کمکی M2 و M3 به ترتیب در ناحیه وارونگی شدید و وارونگی متوسط تغذیه شده اند. با حضور ترانزیستور M3 مولفه های غیرخطی مرتبه سوم جریان خروجی کاهش پیدا میکند و منجر به افزایش نقطه تداخل ورودی مرتبه سوم میگردد. نتایج شبیه سازی با استفاده از تکنولوژی CMOS 130 nm در ولتاژ تغذیه ۰/۶ V، تقویت کننده دارای توان مصرفی۵/۷۱mW، بهره ولتاژ به طور متوسط ۱۱ dB با تغییرات ±۱dB در باند فرکانسی۵ -۱۱ GHz، شکل نویز ۰/۷۵۵-۳ dB در باند ۳-۱۱ GHz، تطبیق امپدانس ورودی کمتر-۱۰ در طول کل باند فرکانسی و +۵dBm IIP3 است.