عملیات حرارتی سیلیسیم دهی بر فولاد کم کربن: بررسی خواص مغناطیسی، ریزساختار و سختی سنجی

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 عملیات حرارتی سیلیسیم دهی بر فولاد کم کربن: بررسی خواص مغناطیسی، ریزساختار و سختی سنجی دارای ۱۶ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد عملیات حرارتی سیلیسیم دهی بر فولاد کم کربن: بررسی خواص مغناطیسی، ریزساختار و سختی سنجی  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی عملیات حرارتی سیلیسیم دهی بر فولاد کم کربن: بررسی خواص مغناطیسی، ریزساختار و سختی سنجی،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن عملیات حرارتی سیلیسیم دهی بر فولاد کم کربن: بررسی خواص مغناطیسی، ریزساختار و سختی سنجی :

تعداد صفحات :۱۶

چکیده مقاله:

وجود تلفات مغناطیسی هسته های ترانسفورماتور از جنس فولادهای سیلیسیم دار و فرآیند تولید پیچیده و غیراقتصادی بودن آن ایجاب می کند تا پروسه تولید ورق های مغناطیسی به شکلی تنظیم شود که کاهش تلفات مغناطیسی در عین اقتصادی بودن و ساده تر کردن فرآیند تولید را به همراه داشته باشد. عدم تولید این محصول در کشور باعث وابستگی صنعت برق و کارخانجات فعال در این زمینه به کشورهای تولید کننده این محصول شده است. همچنین آلیاژهای نانو کریستالین و هسته های فریت به عنوان جایگزین این فولادها بررسی و استفاده شده اند که این مواد نیز به دلیل پرهزینه بودن در تولید و معایبی دیگر نمی توانند کارایی فولادها را داشته باشند. بدین ترتیب ایده ی سیلیسم دهی سطحی به فولاد و بررسی خواص آن مطرح شد. بدین منظور عملیات حرارتی شیمیایی سیلیسیم دهی به روش سمانتاسیون بسته ای بر روی ورق فولاد کم کربن نرماله شده مورد مطالعه قرار گرفت. پوشش دهی با ترکیب مشخصی از بسته پودری در دمای c 950 به مدت زمان های ۳۰ ، ۶۰ و ۱۲۰ دقیقه انجام شد. مشخصات قطعه بعد از عملیات پوشش دهی به وسیله میکروسکوپ نوری، پراش اشعه ایکس و میکروسختی سنجی بررسی شدند و ترکیب و مشخصات هر ناحیه مورد بررسی قرار گرفت. دو لایه ترکیبی و نفوذی از میکروساختار پوشش مشاهده گردید و محدوده سختی از ۱۸۰ تا ۴۳۰ ویکرز در لایه های مختلف به دست آمد. به وسیله دستگاه VSM خواص مغناطیسی نمونه ی بهینه اندازه گیری شد و مشخص گردید میزان پذیرفتاری مغناطیسی نمونه های سیلیسیم دهی شده افزایش ( حدود ۰.۱۱emu/g.Oe ) و همچنین کاهش قابل توجه میدان وادارندگی ( حدود ۷۲A/m ) را داشته است.