دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور بررسی نظری خواص الکترونیکی پیزوالکتریک Ca3TaGa3Si2O14 باروش پتانسیل کامل امواج تخت تقویت شده خطی
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
بررسی نظری خواص الکترونیکی پیزوالکتریک Ca3TaGa3Si2O14 باروش پتانسیل کامل امواج تخت تقویت شده خطی دارای ۸ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد بررسی نظری خواص الکترونیکی پیزوالکتریک Ca3TaGa3Si2O14 باروش پتانسیل کامل امواج تخت تقویت شده خطی کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی بررسی نظری خواص الکترونیکی پیزوالکتریک Ca3TaGa3Si2O14 باروش پتانسیل کامل امواج تخت تقویت شده خطی،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن بررسی نظری خواص الکترونیکی پیزوالکتریک Ca3TaGa3Si2O14 باروش پتانسیل کامل امواج تخت تقویت شده خطی :
تعداد صفحات :۸
چکیده مقاله:
در این مقاله برخی خواص الکترونیکی ترکیب Ca3TaGa3Si2O14 (CTGS) در فاز هگزاگونال و گروه فضایی P321 و ثابت های شبکه (a=8.1056(2) ,c=4.9800(1) ,z=1)بدست اورده شده است.از جمله این خواص می توان به چگالی ابرالکترونی، ساختار نواری و چگالی حالت ها اشاره کرد که اشکال هر مورد گنجانده شده است. برای تهیه این خواص از کد محاسباتی Wien2k استفاده شده است. محاسبات این کد با بکارگیری تقریب شیب تعمیم یافته ( GGA ) و روش پتانسیل کامل به همراه امواج تخت تقویت شده خطی FL_LAPW در چارچوب نظریه ی تابعی چگالی DFT بوده است. بررسی چگالی کل ترکیب و ساختار نواری نشان می دهد که گاف نواری آن غیرمستقیم بوده و برابر ۴/۱v می باشد.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
