دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور مقاله اثر ناخالصی بر TMR و مشخصهی I-V در نانو ساختارهای مغناطیسی
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مقاله اثر ناخالصی بر TMR و مشخصهی I-V در نانو ساختارهای مغناطیسی دارای ۳ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله اثر ناخالصی بر TMR و مشخصهی I-V در نانو ساختارهای مغناطیسی کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله اثر ناخالصی بر TMR و مشخصهی I-V در نانو ساختارهای مغناطیسی،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله اثر ناخالصی بر TMR و مشخصهی I-V در نانو ساختارهای مغناطیسی :
تعداد صفحات:۳
چکیده:
مقالهی حاضر به بررسی نظری اثر ناخالصی نقطهای درون یک لایهی دیالکتریک (I) که بین دو الکترود فرومغناطیس (F) قرار دارد، بر مشخصهی ولت – آمپر و مقاومت مغناطیسی تونلی(TMR) میپردازد . نشان داده شده است که جریان وTMR در نزدیکی ناخالصی به شدت افزایش مییابد . همچنین اگر مکان ناخالصی درون دی الکتریک نسبت به مرز لایهها متقارن نباشد،I-Vرفتاری دیودگونه خواهد داشت .
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
