مقاله تأثیر میدانهای مغناطیسی کم‌فرکانس بر ویژگی‌های غیرخطی سلول عصبی حلزون باغی


در حال بارگذاری
11 سپتامبر 2024
فایل ورد و پاورپوینت
2120
5 بازدید
۶۹,۷۰۰ تومان
خرید

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 مقاله تأثیر میدانهای مغناطیسی کم‌فرکانس بر ویژگی‌های غیرخطی سلول عصبی حلزون باغی دارای ۱۶ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله تأثیر میدانهای مغناطیسی کم‌فرکانس بر ویژگی‌های غیرخطی سلول عصبی حلزون باغی  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله تأثیر میدانهای مغناطیسی کم‌فرکانس بر ویژگی‌های غیرخطی سلول عصبی حلزون باغی،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد


بخشی از متن مقاله تأثیر میدانهای مغناطیسی کم‌فرکانس بر ویژگی‌های غیرخطی سلول عصبی حلزون باغی :

تعداد صفحات :۱۶

در سالهای اخیر طبیعت به شدت تحت تأثیر طیف وسیعی از میدان‌های مغناطیسی، قرار گرفته است؛ لذا همواره مطالعات گسترده‌ای بمنظور بررسی آثار بیولوژیک این میدان‌ها انجام می‌شود. آثاری نظیر مهار عملکرد سلول عصبی- که با شواهدی نظیر کاهش فرکانس یا کاهش دامنه پتانسیل عمل خود را نشان می دهد- نشان داده شده است. در توجیه و بررسی این آثار، اخیراً نظریه پنجره‌های بیولوژیک مطرح شده و به آن توجه شده است. در تعدادی از تحقیقات به آثار پنجره‌ای دامنه و یا فرکانس میدان‌های مغناطیسی اشاره می‌شود. از سوی دیگر با توجه به رفتار غیرخطی سلول عصبی- که می‌تواند با معادلات HHبیان شود- می‌توان سلول عصبی را بعنوان سیستمی غیرخطی در نظر گرفت و تغییرات احتمالی دینامیک غیرخطی سلول را تحت تأثیر میدان مغناطیسیELF بررسی کرد . در این تحقیق از ۶ شدت میدان بعنوان شدت میدان‌های محیطی و در هر شدت میدان ، از ۶ سلول عصبی حلزون باغی استفاده شده است و با محاسبه برخی ویژگی‌های غیرخطی پتانسیل عمل سلول نظیر بعد هیگوچی سیگنال و رسم نگاشت بازگشتی، در طول زمان و در شدت‌ میدان‌های مختلف، مشاهده شد که برای همه شدت‌های مورد بررسی، میدان‌های مغناطیسی سبب افزایش بعد هیگوچی و همچنین افزایش میزان پراکندگی نگاشت بازگشتی ویژگی ISIاز پتانسیل عمل حلزون می‌شوند. این نتایج به معنای افزایش پیچیدگی سیستم و بعبارتی افزایش درجه آزادی سیستم تحت تأثیر میدان‌های مغناطیسی است و البته این آثار در باند میانی شدت‌های مورد آزمایش، بیشتر مشاهده می‌شود که مؤید اثر پنجره‌ای ذکر شده است.

  راهنمای خرید:
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.