مقاله و مطالعه ویژگی های الکتریکی نانوکامپوزیت های هیبریدی NiO/PVCبه عنوان گیت دی الکتریک ترانزیستور

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 مقاله و مطالعه ویژگی های الکتریکی نانوکامپوزیت های هیبریدی NiO/PVCبه عنوان گیت دی الکتریک ترانزیستور دارای ۱۸ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله و مطالعه ویژگی های الکتریکی نانوکامپوزیت های هیبریدی NiO/PVCبه عنوان گیت دی الکتریک ترانزیستور  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله و مطالعه ویژگی های الکتریکی نانوکامپوزیت های هیبریدی NiO/PVCبه عنوان گیت دی الکتریک ترانزیستور،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله و مطالعه ویژگی های الکتریکی نانوکامپوزیت های هیبریدی NiO/PVCبه عنوان گیت دی الکتریک ترانزیستور :

تعداد صفحات :۱۸

در سال های اخیر ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون در تکنولوژی CMOSبه کمتر از دو نانومتر رسیده است. این تمایل بی سابقه به کوچککردن ترانزیستور ها، علاوه بر مزایای فراوان تکنولوژیکی، مشکلاتیهمچون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتمبور از گیت دی الکتریک فرانازک را به همراه داشته است مواد نانوکامپوزیت هیبریدی آلی به خاطر ویژگی های خوب الکتریکی همچون جریان نشتی پایین و ثابتدی الکتریک بالا به عنوان جایگزین مناسب برای گیت دی الکتریکترانزیستورهای اثر میدانی آلی پیشنهاد شده اند خواص نانوساختاری و الکتریکی نانوکامپوزیت هیبریدی پلی وینیلکلرید و اکسید نیکل را با مقادیر مختلف از ماده ی آلی، دردمای ] ۱ [ . اخیرا_ غیر آلی، شامل اکسید های فلزی،] – ۲ ۴ .[ در این مقاله۰۸ درجه سانتی گراد، به روش سل ژل، سنتز نمودیم. در این –آزمایش ها، نسبت درصد وزنی ماده ی آلی به اکسید نیکل ۱۰۵۸۸ و ۱۰۲۵۸و ۱۰۱۲۵ بوده است )در تمام مقاله غلظت ها به ترتیب با علامت های I ،II ویژگی های نانوساختاری نمونه ها را با تکنیک های پراش اشعه یایکس نیروی اتمیهایی از نانوپودرهیبریدی با استفاده از دستگاه ، III نشان داده شده اند.() XRD (، طیف سنجی مادون قرمزتبدیل فوریه) FTIR ( و میکروسکوپ) AFM ( بررسی نمودیم. برای توصیف خواص الکتریکی، قرصNiO/PVC تهیه و به محاسبه ی ظرفیت خازنGPS 132 A پرداخته و ثا بت دی الکتریک آن ها۲را محاسبه کردیم. با استفاده از تحلیل داده های تجربی و را بطهپل فرانکل که میزان جریان نشتی را بر حسب ثابت دی الکتریک تعیین -می کند، دریافتیم که نمونه دمای بالاتر، چینش سطحی ذرات بهتر و همچنین زبری سطح کمتر و در نتیجهدارای جریان نشتی کمتر می باشد. از این رو می تواند به عنوان یکماده ی دی الکتریک مناسب برای ادوات آتی ترانزیستور اثر میدانیآلی NiO/PVC با درصد وزنی ۱۰۲۵۸ که در۰۸ درجه سانتی گراد سنتز شده است دارای ثابت دی الکتریک(OFET) معرفی گردد.