مقاله بررسی اثر غلظت وانادیوم بر خواص اپتیکی و الکتریکی لایه نازک نانو ساختار دی اکسید تیتانیوم تهیه شده به روش سل – ژل

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 مقاله بررسی اثر غلظت وانادیوم بر خواص اپتیکی و الکتریکی لایه نازک نانو ساختار دی اکسید تیتانیوم تهیه شده به روش سل – ژل دارای ۱۷ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله بررسی اثر غلظت وانادیوم بر خواص اپتیکی و الکتریکی لایه نازک نانو ساختار دی اکسید تیتانیوم تهیه شده به روش سل – ژل  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله بررسی اثر غلظت وانادیوم بر خواص اپتیکی و الکتریکی لایه نازک نانو ساختار دی اکسید تیتانیوم تهیه شده به روش سل – ژل،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله بررسی اثر غلظت وانادیوم بر خواص اپتیکی و الکتریکی لایه نازک نانو ساختار دی اکسید تیتانیوم تهیه شده به روش سل – ژل :

تعداد صفحات :۱۷

در این پژوهش، لایه نازک دی اکسید تیتانیوم آلاییده شده با وانادیوم با غلظت­های مختلف ( ۵/۱،۰ و ۵ درصد وزنی) به روش سل-ژل بر روی زیرلایه­های شیشه­ای رسوب داده شد. خواص ساختاری، آنالیز عنصری، الکتریکی، اپتیکی و زبری سطح لایه­های نازک به ترتیب توسط روش­های XRD، DES، LCR meter، طیف سنجی UV-Vis و AFM مورد مطالعه قرار گرفت. نتایج الگوی XRD نشان داد که لایه­های نازک دارای ساختار پلی کریستالی تتراگونال و تک فاز آناتاز است. همچنین مشاهده می­شود، با افزایش غلظت وانادیوم اندازه بلورینگی دی اکسید تیتانیم کاهش می­یابد؛ به­گونه­ای که اندازه متوسط بلورک­ها از ۱۷ نانومتر برای دی اکسید تیتانیم خالص به حدود ۷ نانومتر در حالت آلائیده شده (۱ درصد وزنی) کاهش یافته است. به­علاوه، هیچ فازی مربوط به اکسید وانادیم به علت جایگزینی وانادیم در موقعیت تیتانیم در ساختار دی اکسید تیتانیم تشکیل نشده است. همچنین تصویر FE-SEM از سطح مقطع لایه نازک دی اکسید تیتانیم الائیده شده نشان می­دهد که ضخامت لایه حدود ۵۳۶ نانومتر بوده و دانه­ها به­صورت پیوسته روی یکدیگر رشد کرده و ساختار پلی کریستالی را تشکیل داده­اند. رافنس لایه­های نازک دی اکسید تیتانیم خالص و آلائیده شده با وانادیوم حدود ۱۴/۳ نانومتر و ۸۷/۰ نانومتر اندازه گیری شد. مقاومت الکتریکی لایه­های نازک TiO2 و آلاییده شده با ۵/۰، ۱ و۵ درصد وزنی به ترتیب مقادیر cm 107×7/16 ، cm 107×7/7 ، cm 107×7/1 و cm 107×8/12 به­دست آمد. علت افزایش مقاومت در ۵ درصد، کاهش موبیلیته با افزایش غلظت حامل­ها است. مقدار انرژی شکاف نوار با اضافه کردن وانادیم به دی اکسید تیتانیوم از eV 71/3 به eV 44/3 کاهش یافته و در نتیجه لبه جذب به طرف طول موج­های بلندتر جابجا شد.