دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور مقاله کاربردهای لیزر در مخابرات
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مقاله کاربردهای لیزر در مخابرات دارای ۶۳ صفحه می باشد و دارای تنظیمات و فهرست کامل در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله کاربردهای لیزر در مخابرات کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : توضیحات زیر بخشی از متن اصلی می باشد که بدون قالب و فرمت بندی کپی شده است
بخشی از فهرست مطالب پروژه مقاله کاربردهای لیزر در مخابرات
چکیده
فصل اول (مقدمه)
۱-۱- مقدمه
فصل دوم (شناخت لیزر)
۱-۲- معرفی
۲-۲- انواع لیزر
۳-۲- انتخاب لیزر
۴-۲- طول عمر لیزر نیمه هادی
فصل سوم (لیزر VCSEL)
۱-۳- MICRO – OPTICS
۲-۳- قطعات MICRO غیر فعال برای VCSEL
۳-۳- استفاده تکنولوژی DIRECT INTEGRATION برای PASSIVE MICRO – OPTICS روی سطح VCSEL
فصل چهارم (استفاده از VCSEL قابل تنظیم برای سیستم‌های با فاصله‌ی کم و به هم متصل)
۱-۴- عملکرد سیستم
۲-۴- VCSEL با طول موج بلند
۳-۴- VCSEL قابل تنظیم
۴-۴- VCSEL غیر قابل تنظیم سرعت بالا
۵-۴- VCSEL با طول موج کوتاه
۶-۴- ویژگی‌های VCSEL با طول موج کوتاه
۷-۴- VCSEL با طول موج بلند
فصل پنجم (کاربرد شبکه‌های عصبی لیزر در سیستم‌های مخابراتی)
۱-۵- شبکه‌های عصبی
۲-۵- یک سیستم عصبی تغییر اطلاعات
۳-۵- یک بسته عصبی نوری تغییر دهنده
ABSTRACT
REFERENCES
بخشی از منابع و مراجع پروژه مقاله کاربردهای لیزر در مخابرات
۱ A. J. Liu, W. Chen, H. W. Qu et al., “Single-mode holey vertical- cavity surface-emitting laser with ultra-narrow beam divergence,” Laser Physics Letters, vol. 7, no. 3, pp. 213–۲۱۷, ۲۰۱۰
۲ A. K. Nallani, T. Chen, D. J. Hayes, W. S. Che, and J. B. Lee, “A method for improved VCSEL packaging using MEMS and ink-jet technologies,” Journal of Lightwave Technology, vol. 24, no. 3, pp. 1504–۱۵۱۲, ۲۰۰۶
۳ A. Kroner, I. Kardosh, F. Rinaldi, and R. Michalzik, “Towards VCSEL-based integrated optical traps for biomedical applications,” Electronics Letters, vol. 42, no. 2, pp. 93–۹۴, ۲۰۰۶
۴ A. Liu, M. Xing, H. Qu, W. Chen, W. Zhou, and W. Zheng, “Reduced divergence angle of photonic crystal vertical-cavity surface-emitting laser,” Applied Physics Letters, vol. 94, no. 19, Article ID 191105,
۵. A. Nallani, T. Chen, J. B. Lee, D. Hayes, and D.Wallace, “Wafer level optoelectronic device packaging using MEMS,” in Smart Sensors, Actuators, and MEMS II, vol. 5836 of Proceedings of SPIE, pp. 116–۱۲۷, May
۶. A. Suzuki, Y. Wakazono, S. Suzuki et al., “High optical coupling efficiency using 45-ended fibre for low-height and lowcost optical interconnect modules,” Electronics Letters, vol. 44, no. 12, pp. 724–۷۲۵, ۲۰۰۸
۷ A. Tuantranont, V. M. Bright, J. Zhang, W. Zhang, J. A. Neff, and Y. C. Lee, “Optical beam steering using MEMS-controllable microlens array,” Sensors and Actuators A, vol. 90, no.3, pp. 363–۳۷۲, ۲۰۰۱
۸ Artundo, I. et al., ”Selective optical broadcast component for reconfigurable multiprocessor interconnects,” IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, vol.12, no.4, pp.828-837, July-Aug
۹. B. K¨ogel et al., ”Long-wavelength MEMS tunable vertical-cavity surface-emitting lasers with high sidemode suppression” ۲۰۰۶ J. Opt. A: Pure Appl. Opt. 8 S
۱۰. B. K¨ogel et al., ”Tuning Dynamics of Micromachined Surface-Emitting Lasers with Broadband Long- Wavelength Coverage,” Photonics in Switching, 2007 , vol., no., pp.111-112, 19-22 Aug
۱۱. B. K¨ogel, A. Abbaszadehbanaeiyan, P.Westbergh et al., “Integrated tunable VCSELs with simpleMEMS technology,” in Proceedings of the 22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference (ISLC ’۱۰), pp. 26–۳۰, ۲۰۱۰
۱۲ B. K¨ogel. et al., ”Integrated Tunable VCSELs With Simple MEMS Technology” IEEE Semiconductor Laser Conference 2010,ISLC
۱۳. B. Reig, T. Camps, D. Bourrier, E. Daran, C. Vergnen`egre, and V. Bardinal, “Design of active lens for VCSEL collimation,” in Advances in Optical Technologies 11 Micro-Optics 2010, vol. 7716 of Proceedings of SPIE, p. 771620,
۱۴. C. Debaes,M. Vervaeke, V. Baukens et al., “Low-costmicrooptical modules for MCM level optical interconnections,” IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics, vol. 9, no. 2, pp. 518–۵۳۰, ۲۰۰۳
۱۵ C. Gimkiewicz, M. Moser, S. Obi et al., “Wafer-scale replication and testing of micro-optical components for VCSELs,” in Micro-Optics, VCSELs, and Photonic Interconnects, vol. 5453 of Proceedings of SPIE, pp. 13–۲۶, April
۱۶. C. Gorecki, L. Nieradko, S. Bargiel et al., “On-chip scanning confocal microscope with 3D MEMS scanner and VCSEL feedback detection,” in Proceedings of the 4th International Conference on Solid-State Sensors, Actuators and Microsystems (TRANSDUCERS ’۰۷), pp. 2561–۲۵۶۴, June
۱۷. C. H. Hou, C. C. Chen, B. J. Pong et al., “GaN-based stacked micro-optics system,” Applied Optics, vol. 45, no. 11, pp. 2396– ۲۳۹۸, ۲۰۰۶
۱۸ C. J. Chang-Hasnain, “Tunable VCSEL,” IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics, vol. 6, no. 6, pp. 978– ۹۸۷, ۲۰۰۰
۱۹ C. Levallois, V. Bardinal, T. Camps et al., “VCSEL collimation using self-aligned integrated polymer microlenses,” in Micro- Optics 2008, vol. 6992 of Proceedings of SPIE, p. 69920W, April
۲۰. C. Reardon, A. Di Falco, K. Welna, and T. Krauss, “Integrated polymer microprisms for free space optical beam deflecting,” Optics Express, vol. 17, no. 5, pp. 3424–۳۴۲۸, ۲۰۰۹
۲۱ C. Vergnen`egre, T. Camps, V. Bardinal, C. Bringer, C. Fontaine, and A.Munoz-Yag¨ue, “Integrated optical detection subsystem for functional genomic analysis biosensor,” in Photonics Applications in Biosensing and Imaging, vol. 5969 of Proceedings of SPIE, pp. 596912.1–۵۹۶۹۱۲۱۰, ۲۰۰۵
۲۲ Chang-Hasnain, C.J., ”۱۵-۱۶ m VCSEL for metro WDM applications,” ۲۰۰۱ IPRM. IEEE International Conference On Indium Phosphide and Related Materials, vol., no., pp.17-18,
۲۳. Chilwell, J.;Hodgkinson, I. ”Thin-film field-transfer matrix method of planar multilayer waveguides and reflection from prism-loaded waveguides”, J. Opt. Soc. Am. A1 (1984) 742-
۲۴. D. F. Siriani and K. D. Choquette, “Electronically controlled two-dimensional steering of in-phase coherently coupled vertical-cavity laser arrays,” IEEE Photonics Technology Letters, vol. 23, no. 3, pp. 167–۱۶۹, ۲۰۱۱
۲۵ D. Fattal, J. Li, Z. Peng, M. Fiorentino, and R. G. Beausoleil, “Flat dielectric grating reflectors with focusing abilities,” Nature Photonics, vol. 4, no. 7, pp. 466–۴۷۰, ۲۰۱۰
۲۶ D. Heinis, C. Gorecki, C. Bringer et al., “Miniaturized scanning near-field microscope sensor based on optical feedback inside a single-mode oxide-confined vertical-cavity surfaceemitting laser,” Japanese Journal of Applied Physics 2, vol. 42, no. 12 A, pp. L1469–L1471,
۲۷. D. J. Hayes, M. E. Grove, D. B. Wallace, T. Chen, and W. R. Cox, “Ink-jet printing in the manufacturing of electronics, photonics, and displays,” in Nanoscale Optics and Applications, vol. 4809 of Proceedings of SPIE, pp. 94–۹۹, July
۲۸. D. M. Hartmann, S. C. Esener, and O. Kibar, “Precision fabrication of polymer microlens arrays,” United States patent 7.771, 630 B2,
۲۹. D. W. Kim, T. W. Lee, M. H. Cho, and H. H. Park, “Highefficiency and stable optical transmitter using VCSEL-directbonded connector for optical interconnection,” Optics Express, vol. 15, no. 24, pp. 15767–۱۵۷۷۵, ۲۰۰۷۱۰ Advances in Optical Technologies
۳۰. Debernardi, P. et al., ”Modal Properties of Long-Wavelength Tunable MEMS-VCSELsWith Curved Mirrors: Comparison of Experiment and Modeling,” IEEE Journal of Quantum Electronics, vol.44, no.4, pp.391-399, April
۳۱. Dissertation, Markus Maute, Walter Schottky Institut, Technische Universit¨at M¨unchen, ”Mikromechanisch abstimmbare Laser-Dioden mit Vertikalresonator”, Vol.81, ISBN 3-932749-81-
۳۲. E. Bosman, G. Van Steenberge, I. Milenkov et al., “Fully flexible optoelectronic foil,” IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics, vol. 16, no. 5, Article ID 5404348, pp. 1355–۱۳۶۲, ۲۰۱۰
۳۳ E. C. Mos, J. J. H. B. Schleipen, and H. de Waardt, “Optical mode neural network by use of the nonlinear response of a laser diode to external optical feedback,” Appl. Opt. 36, 665443663,1997.
۳۴. E. M. Strzelecka, D. A. Louderback, B. J. Thibeault, G. B. Thompson, K. Bertilsson, and L. A. Coldren, “Parallel freespace optical interconnect based on arrays of vertical-cavity lasers and detectors with monolithic microlenses,” AppliedOptics, vol. 37, no. 14, pp. 2811–۲۸۲۱, ۱۹۹۸
۳۵ E. Thrush, O. Levi, W. Ha et al., “Integrated semiconductor vertical-cavity surface-emitting lasers and PIN photodetectors for biomedical fluorescence sensing,” IEEE Journal of Quantum Electronics, vol. 40, no. 5, pp. 491–۴۹۸, ۲۰۰۴
۳۶ G. Kim, X. Han, and R. T. Chen, “Crosstalk and interconnection distance considerations for board-to-board optical interconnects using 2-D VCSEL and microlens array,” IEEE Photonics Technology Letters, vol. 12, no. 6, pp. 743–۷۴۵, ۲۰۰۰
۳۷ H. A. Davani et al., ”Widely tunable high-speed bulk-micromachined short-wavelength MEMS-VCSEL”IEEE Semiconductor Laser Conference 2010,ISLC 2010, page 14-
۳۸. H. L. Chen, D. Francis, T. Nguyen, W. Yuen, G. Li, and C. Chang-Hasnain, “Collimating diode laser beams from a largearea VCSEL-array using microlens array,” IEEE Photonics Technology Letters, vol. 11, no. 5, pp. 506–۵۰۸, ۱۹۹۹
۳۹ H. Ottevaere, R. Cox, H. P. Herzig et al., “Comparing glass and plastic refractive microlenses fabricated with different technologies,” Journal of Optics A, vol. 8, no. 7, pp. S407–S429,
۴۰. H. P. Herzig,Micro-Optics, Elements, Systems and Applications, Taylor and Francis, London, UK,
۴۱. H. S. Lee, I. Park, K. S. Jeon, and E. H. Lee, “Fabrication of micro-lenses for optical interconnection using micro ink-jetting technique,” Microelectronic Engineering, vol. 87, no. 5-8, pp. 1447–۱۴۵۰, ۲۰۱۰
۴۲ H. Zappe, Fundamentals of Micro-Optics, Cambridge University Press,
۴۳. Hofmann, W. et al., ”۱۵۵-m VCSEL Arrays for High-Bandwidth WDM-PONs,” Photonics Technology Letters, IEEE , vol.20, no.4, pp.291-293, Feb.15,
۴۴. I. S. Chung, P. Debernardi, Y. T. Lee, and J. Mrk, “Transverse- mode-selectable microlens verticalcavity surface-emitting laser,” Optics Express, vol. 18, no. 5, pp. 4138–۴۱۴۷, ۲۰۱۰
۴۵ J. Ingenhoff; , ”Athermal AWG devices for WDM-PON architectures,” Lasers and Electro-Optics Society, 2006. LEOS 2006. 19th Annual Meeting of the IEEE , vol., no., pp.26-27, Oct
۴۶. J. K. Kim, D. U. Kim, B. H. Lee, and K. Oh, “Arrayed multimode fiber to VCSEL coupling for short reach communications using hybrid polymer-fiber lens,” IEEE Photonics Technology Letters, vol. 19, no. 13, pp. 951–۹۵۳, ۲۰۰۷
۴۷ J. Perchoux and T. Bosch, “Multimode VCSELs for self-mixing velocity measurements,” in Proceedings of the 6th IEEE Conference on SENSORS, pp. 419–۴۲۲, October
۴۸. J. W. Goodman, A. R. Dias, and L. M. Woody, “Fully parallel, high-speed incoherent optical method for performing discrete Fourier transforms,” Opt. Lett. 2, 1-3, 1978.
۴۹. Jatta, S. et al., ”Bulk-Micromachined VCSEL At 1.55 m With 76-nm Single-Mode Continuous Tuning Range,” Photonics Technology Letters, IEEE , vol.21, no.24, pp.1822-1824, Dec.15,
۵۰. K. Goto, Y. J. Kim, S. Mitsugi, K. Suzuki, K. Kurihara, and T. Horibe, “Microoptical two-dimensional devices for the optical memory head of an ultrahigh data transfer rate and density sytem using a vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) array,” Japanese Journal of Applied Physics 1, vol. 41, no. 7 B, pp. 4835–۴۸۴۰, ۲۰۰۲
۵۱K. Hedsten, J.Melin, J. Bengtsson et al., “MEMS-based VCSEL beam steering using replicated polymer diffractive lens,” Sensors and Actuators A, vol. 142, no. 1, pp. 336–۳۴۵, ۲۰۰۸
۵۲ K. Iga, “Vertical-cavity surface-emitting laser: its conception and evolution,” Japanese Journal of Applied Physics, vol. 47, no. 1, pp. 1–۱۰, ۲۰۰۸
۵۳ K. Ishikawa, J. Zhang, A. Tuantranont, V. M. Bright, and Y. C.Lee, “An integrated micro-optical system for VCSEL-to-fiber active alignment,” Sensors and Actuators A, vol. 103, no. 1-2, pp. 109–۱۱۵, ۲۰۰۳
۵۴ K. Petermann,”Laser diode modulation and noise,” in Advances in Optoelectronics T. Okoshi Ed., (Kluwer Academic, Dordrecht, The Netherlands, 1991).
۵۵. K. Rastani, M. Orenstein, E. Kapon, and A. C. Von Lehmen, “Integration of planar Fresnel microlenses with vertical-cavity surface-emitting laser arrays,” Optics Letters, pp. 919–۹۲۱, ۱۹۹۱
۵۶ K. S. Chang, Y. M. Song, and Y. T. Lee, “Microlens fabrication by selective oxidation of composition-graded digital alloy AlGaAs,” IEEE Photonics Technology Letters, vol. 18, no. 1, pp. 121–۱۲۳, ۲۰۰۶
۵۷ K. Y. Hung, H. T. Hu, and F. G. Tseng, “Application of 3D glycerol-compensated inclined-exposure technology to an integrated optical pick-up head,” Journal of Micromechanics and Microengineering, vol. 14, no. 7, pp. 975–۹۸۳, ۲۰۰۴
۵۸ L. A. Coldren, S.W. Corzine, ”Diode Lasers and Photonic Integrated Circuits”, John Wiley & Sons, Inc., New York,
۵۹. L. Chrostowski, “Optical gratings: nano-engineered lenses,” Nature Photonics, vol. 4, no. 7, pp. 413–۴۱۵,
۶۰ L. Fan, M. C. Wu, H. C. Lee, and P. Grodzinski, “Dynamic beam switching of vertical-cavity surface-emitting lasers with integrated optical beam routers,” IEEE Photonics Technology Letters, vol. 9, no. 4, pp. 505–۵۰۷, ۱۹۹۷
۶۱ L. G. Kazovsky et al., ”Next-generation optical access networks”, J. Lightwave Technol., vol. 25, no. 11, pp. 3428-3442, Nov
۶۲. L. M. Lechuga, J. Tamayo, M. A´ lvarez et al., “A highly sensitive microsystem based on nanomechanical biosensors for genomics applications,” Sensors and Actuators B, vol. 118, no. 1-2,pp. 2–۱۰, ۲۰۰۶
۶۳ M. C. Wu, L.-Y. Lin, S.-S. Lee, and K. S. J. Pister, “Micromachined free-space integratedmicro-optics,” Sensors and Actuators A, vol. 50, no. 1-2, pp. 127–۱۳۴, ۱۹۹۵
۶۴ M. C. Y. Huang, Y. Zhou, and C. J. Chang-Hasnain, “Single mode high-contrast subwavelength grating vertical cavity surface emitting lasers,” Applied Physics Letters, vol. 92, no. 17, Article ID 171108,
۶۵. M. M¨uller et al., IEEE PTL, 21, pp . 1615-1617,
۶۶. M. Maute et al., ”MEMS Tunable 1.55-m VCSEL With Extended Tuning Range Incorporating a Buried Tunnel Junction”, IEEE Photonics Technology Letters, vol. 18(5), pp. 688-690,
۶۷. M. Maute, F. Riemenschneider, G. B¨ohm et al., “Micromechanically tunable long wavelength VCSEL with buried tunnel junction,” Electronics Letters, vol. 40, no. 7, pp. 430–۴۳۱, ۲۰۰۴
۶۸ M.-C. Amann and M. Ortsiefer, ”Long-wavelength (1.3m) InGaAlAs-InP vertical-cavity surface-emitting lasers for applications in optical communications and sensing”, phys. stat. sol. (a) 203 (14),pp. 3538-3544,
۶۹. N. Laurand, C. L. Lee, E. Gu, J. E. Hastie, S. Calvez, and M. D. Dawson, “Microlensed microchip VECSEL,” Optics Express,vol. 15, no. 15, pp. 9341–۹۳۴۶, ۲۰۰۷
۷۰ O. Akanbi, ”Bi-directional dense wavelength division multiplexed systems for broadband access networks”, Ph.D. dissertation, School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology,
۷۱. O. Blum, S. P. Kilcoyne, M. E. Warren et al., “Vertical-cavity surface-emitting lasers with integrated refractivemicrolenses,” Electronics Letters, vol. 31, no. 1, pp. 44–۴۵, ۱۹۹۵
۷۲ O. Castany, L. Dupont, A. Shuaib, J. P. Gauthier, C. Levallois, and C. Paranthoen, “Tunable semiconductor vertical-cavity surface-emitting laser with an intracavity liquid crystal layer,” Applied Physics Letters, vol. 98, no. 16, pp. 161105-1–۱۶۱۱۰۵-۳, ۲۰۱۱
۷۳ O. Soppera, C. Turck, and D. J. Lougnot, “Fabrication of micro-optical devices by self-guiding photopolymerization in the near IR,” Optics Letters, vol. 34, no. 4, pp. 461–۴۶۳, ۲۰۰۹
۷۴ Patel, R.R. et al., ”Multiwavelength parallel optical interconnects for massively parallel processing,” IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, vol.9, no.2, pp. 657- 666, March-April
۷۵. Pressrelease from LG Ericsson:”LG-Nortel Demonstrates Full WDM-PON Ecosystem at FTTH Council Europe 2010”, ۲۰۱۰-۰۲-۲۴
۷۶ R.Michalzik, A. Kroner, and F. Rinaldi, “VCSEL-based optical trapping for microparticle manipulation,” in Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers XIII, K. D. Choquette and C. Lei, Eds.,vol. 7229 of Proceedings of SPIE, pp. 722908-1–۷۲۲۹۰۸-۱۳, ۲۰۰۹
۷۷ S. Eitel, S. J. Fancey, H. P. Gauggel, K. H. Gulden,W. B¨achtold, and M. R. Taghizadeh, “Highly uniform vertical-cavity surface- emitting lasers integrated with microlens arrays,” IEEE Photonics Technology Letters, vol. 12, no. 5, pp. 459–۴۶۱, ۲۰۰۰
۷۸S. H. Park, Y. Park, H. Kim et al., “Microlensed vertical-cavity surface-emitting laser for stable single fundamental mode operation,” Applied Physics Letters, vol. 80, no. 2, p. 183,
۷۹. S. Healy et al., IEEE J. of Quantum Electronics, Vol. 46, No. 4, pp. 506-512, April
۸۰.S. Heisig, O. Rudow, and E. Oesterschulze, “Scanning nearfield opticalmicroscopy in the near-infrared region using light emitting cantilever probes,” Applied Physics Letters, vol. 77, no.8, pp. 1071–۱۰۷۳, ۲۰۰۰
۸۱ S. S. Lee, L. Y. Lin, K. S. J. Pister, M. C. Wu, H. C. Lee, and P. Grodzinski, “Passively aligned hybrid integration of 8 × ۱ micromachined micro-Fresnel lens arrays and 8 × ۱ verticalcavity surface-emitting laser arrays for free-space optical interconnect,” IEEE Photonics Technology Letters, vol. 7, no. 9, pp.1031–۱۰۳۳, ۱۹۹۵
۸۲T. Ouchi, A. Imada, T. Sato, and H. Sakata, “Direct coupled packaging of plastic optical fibers on vertical-cavity surfaceemitting lasers with patterned polymer guide holes,” Japanese Journal of Applied Physics A, vol. 41, no. 7 B, pp. 4813–۴۸۱۶, ۲۰۰۲
۸۳ Tayebati, P. et al., ”Half-symmetric cavity tunable microelectromechanical VCSEL with single spatial mode,” Photonics Technology Letters, IEEE , vol.10, no.12, pp.1679-1681, Dec
۸۴.Tobias Gr¨undl et al., ”High-Speed and HighPower Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers based on InP suitable for Telecommunication and Gas Sensing”, SPIE Remote Sensing 2010, Nr: 7828-
۸۵.U. A. Gracias, N. Tokranova, and J. Castracane, “SU8-based static diffractive optical elements: wafer-level integration with VCSEL arrays,” in Photonics Packaging, Integration, and Interconnects VIII, vol. 6899 of Proceedings of SPIE, p. 68990J, January
۸۶.V. Bardinal, B. Reig, T. Camps et al., “A microtip self-written on a vertical-cavity surface-emitting laser by photopolymerization,” Applied Physics Letters, vol. 96, no. 5, Article ID 051114,
۸۷.V. Bardinal, B. Reig, T. Camps et al., “Spotted custom lenses to tailor the divergence of vertical-cavity surface-emitting lasers,” IEEE Photonics Technology Letters, vol. 22, no. 21, Article ID 5560728, pp. 1592–۱۵۹۴, ۲۰۱۰
۸۸ W. H. Cheng et al., ”Spectral characteristics for a fiber grating external cavity laser,” Optical and Quantum Electronics, vol.32, no.3, pp. 339-348, March
۸۹.Y. Fu, “Integration of microdiffractive lens with continuous relief with vertical-cavity surface-emitting lasers using focused ion beam direct milling,” IEEE Photonics Technology Letters, vol. 13, no. 5, pp. 424–۴۲۶, ۲۰۰۱
۹۰Y. Ishii, S. Koike, Y. Arai, and Y. Ando, “Hybrid integration of polymer microlens with VCSEL using drop-on-demand technique,”in Optoelectronic Interconnects VII; Photonics Packaging and Integration II, vol. 3952 of Proceedings of SPIE, pp. 364– ۳۷۴, January
۹۱. Z.Wang, Y. Ning, Y. Zhang et al., “High power and good beam quality of two-dimensional VCSEL array with integrated GaAs microlens array,” Optics Express, vol. 18, no. 23, pp. 23900– ۲۳۹۰۵, ۲۰۱۰
۱-۱- مقدمه
در این تحقیق هدف ما بررسی دیود لیزری VCSEL و شبکه‌های LNN میباشد
اگرچه وارد شدن به تکنولوژیهای ساخت و تنظیم اشعههای تشعشع شده از سطح یک دیود لیزر نیاز به تخصصهای ویژه در این زمینه دارد ولی در این تحقیق به طور مختصری نظری به این تکنولوژیها داشتهایم و روشهای تنظیم اشعهها با دیورژانس‌های موردنظر و انتخاب مناسبترین صفحه و لنز برای تمرکز اشعه و منظم کردن پرتوها ارائه شده است. در فصل سوم یک شرح کوتاهی از قطعات نوری بسیار کوچک (microoptic) در دو حالت Passive و active بیان شده است که برای جبران انحراف اشعه و طی آزمایشات انجام شده انتخاب شدهاند. در فصل چهارم یک VCSEL قابل تنظیم در سیستم‌های مخابراتی مدّ نظر است که به شبکه‌های نوری مثل PON به جای روشهای قدیمی ارسال دادهها روی آورده شده است و به این دلیل VCSEL قابل تنظیم است که باید برای طول موجهای مختلف وقتی عمل انتقال لیزر با شکست روبهرو میشود و نیاز به جایگزینی دارند فوراً جایگزین فراهم کند
در فصل پنجم به کاربر و لیزر در شبکه‌های عصبی یا LNN میپردازیم و روش کار این شبکهها برای کاهش تلفات نوری در طول موجهای مختلف ارایه شده است و بیشتر روشهای کاری توسط شکلهای ارایه شده تفهیم شده است
۱-۲- معرفی
در حالت کلی امروزه تکنولوژی به سمت استفاده از لیزر روی آورده است و این به دلیل مزیتهایی است که لیزر نسبت به سایر فرکانسها دارد مثلاً میتوان به ارتباطات ماهوارهای لیزر نظری داشت و مزیتهای لیزر را نسبت به سایر فرکانسها در نظر گرفت به همین دلیل در این تحقیق ما نظر خود را روی گونهی خاصی از لیزر به نام دیود لیزری VCSELو ساختار آن متمرکز کردهایم
در ارتباطات ماهوارهای در فرکانسهای بسیار بالا دامنهای حدود هفت تا هشت برابر بیشتر از سیستم‌های فرکانسی رادیویی (RF) دارد که چهار مزیت ایجاد مینماید: پهنای باند وسیعتر، زاویههای انحراف شعاع کوچکتر، آنتنهای کوچکتر و نواحی جدید طیف قابل دستیابی
پهنای باند، زوایای انحراف شعاع و سایز آنتن همگی وابسته به طول موج هستند. طول موجهای RF یا مایکروویو رنج صدها متر تا کمتر از یک سانتیمتر را میپوشانند در حالی که فرستندههای لیزری مناسب ارتباطات ماهوارهای از کمتر از یک میکرومتر تا ۱۰ میکرومتر را میپوشانند. به طور خاص مقایسه بین یک سیستم ارتباطی cm 3 و یک سیستم لیزر µm 1 را در نظر بگیرید. زاویه انحراف شعاع فرستاده شده به طور معکوس با قطر روزنه و به طور مستقیم با طول موج تغییر میکند. مقایسه طول لیزر ۶-۱۰×۱ با مایکروویو ۲-۱۰×۳ و فرض یک آنتن m 3 برای حالت میکروویو و یک آنتن cm 10 برای حالت لیزر، نسبت زاویه ۱۰۶ را میدهد. اگر المانهای دیگر دو سیستم اجرایی نیز معادل باشند یک میلیونیم توان حالت میکروویو در حالت لیزر نیاز میباشد
همچنین در حالت لیزر زوایای انحراف شعاع به میکرو رادیان تقلیل مییابد
مزیت مهم و منحصر به فرد فرستندههای لیزری، پالسهای قابل دستیابی بسیار باریک و توان بالایی است که نرخهای بالای دیتا را ایجاد میکنند. نرخهای دیتا میتواند در حد چندین گیگابایت بر ثانیه باشد
برای مثال در ۵ گیگابایت بر ثانیه حدود یک میلیون کانال تلفن قابل استفاده است. در حال حاضر ارتباطات لیزری (Lasercom) نقش محوری در ارتباطات فضایی دارند
۲-۲- انواع لیزر
چهار منبع لیزر عبارتند از لیزرهای دیودی ALGaAs ، Nd: YAG پمپ شده توسط ALGaAs ، Nd: YAG دوبل پمپ شده توسط ALGaAs و لیزر Co۲. دیودهای ALGaAs ، Nd: YAG پمپ شده توسط ALGaAs دو منبع اصلی و عملی لیزر در حال حاضر میباشند
دیود لیزر، کوچک و بالنسبه کارآمد و نیرومند و همچنین قابل دستیابی در طول موج بالا (نزدیک ۸/۰ تا ۷/۱ متر) میباشد که به طور مستقیم مدوله میشود و پتانسیل عمر طولانی (تقریباً ۱۰۵ ساعت) دارد. عیب اصلی آن، توان خروجی محدود شده نسبت به دیود است که در بیشتر کاربردها منجر به ترکیب شعاع میشود
Nd: YAG پمپ شده توسط ALGaAs مشکلات ترکیب شعاع را از بین میبرد و تکنیک مدولاسیون پیشرفتهای دارد و معمولاً توان کافی جهت لینک وجود دارد. عیب کوچک آن این است که وسایل مدولاسیون الکترونوری بسیار پیشرفته، کاملاً پیچیده هستند و شامل هر دو ساختار Nd: YAG 06/1 میکرومتری و Nd: YAG دوبل ۵۳۲/۰ میکرومتری میباشند Nd: YAG پمپ شده دارای مشکل عمر و شیفت طول موج با عمر است
لیزر Co۲ به طور قابل ملاحظه متفاوت از ALGaAs ، Nd: YAG میباشد و آن یک لیزر گازی است. لیزر Co۲ توسط یک گاز و شارژ پمپ میشود. مقصود این است که اساساً این نوع لیزرها، تیوپهای شارژی هستند و دارای مشکلاتی در اثر خلأ، کاتد و آند میباشند. لیزرهای Co۲ سه عیب دارند که اول محدودیت طول عمر که به دلیل طبیعت گاز و شارژ است و در واقع Co۲ به طور شیمیایی واکنش داده و با مرور زمان به سمت Co پیش میرود. دوم ترکیب پیچیده هتروداین[۱] یا آشکارسازی هموداین[۲]است که به خاطر نیاز مسیر بحرانی اسیلاتور محلی و میدانهای سیگنال بر روی سطح کریستال میکرو به وجود میآید
سومین عیب، نیاز به آشکارسازهای خنک شده میباشد. عاملهایی در جهت کم شدن این عیوب به کار میرود
با پیشرفت لیزرهای Co۲ موج راهنما به جای گاز و شارژ، طول عمر را افزایش میدهد. البته عیبهای مسیر بحرانی و آشکارسازی هموداین به اندازهی محدودیت طول عمر مهم نیست
تکنولوژی ترکیب توان جهت دیودهای لیزری ALGaAs یک راه عملی افزایش توان و نرخهای قابل دسترسی دیتا ایجاد میکند. ترکیب کوهرنت[۳] در اپتیک مجتمع پیشرفتهای زیادی در دیود لیزر توسط افزایش شعاع هنگامی که انحراف شعاع کم میشود به وجود میآورد. به علاوه سطوح توان قابل دسترس بالاتر، جهت فرستندههای نرخ دیتا بالا مورد نیاز است. دیودهای لیزری در این سطوح توان، پاسخهای پالسی نانوثانیه عرضه میکند. برای سیستم‌های چند گیگابایت، پاسخهای زیر نانوثانیه نیاز است. افزایش توان خروجی، پهناهای پالسی کمتر و نرخ پالسی بالا جهت ارتباطات چند گیگا بایتی احتیاج میباشد
لیزر نیمه هادی ALGaAs در حال پیشرفت است و مشکلاتی مانند شیفت طول موج با افزایش عمر برطرف میشود. فرستندههای لیزری پیشرفته از تکنولوژی اپتیک مجتمع استفاده میکند
۳-۲- انتخاب لیزر
امروزه طراح سیستم‌های ارتباطی لیزر دو انتخاب جهت منبع لیزری دارد: دیود لیزر نیمه هادی و لیزر پمپ شده Nd: YAG باشد. اما برای بعضی کاربردها، کارایی و وزن دیودهای لیزر هم تراز محدودیتهایشان است. اگر چه لیزر پمپ شده Nd: YAG پیچیدهتر و سنگینتر از منبع دیود مستقیم است. شعاع متعادل کنندهای جهت ایجاد محدودیت انکسار، از آنتن فرستنده منتشر میکند
لیزرهای نیمه هادی جهت فرستندههای نوری در ارتباطات ماهوارهای یک منبع نوری ایدهآل میباشند و دارای سایز و وزن کم و تأثیر و اعتماد بالا هستند. همچنین این نوع لیزرها به آسانی توسط تزریق جریان مستقیم مدوله میشوند
سایر چیپ لیزر تقریباً ۲۰۰×۲۰۰×۱۰۰ میکرومتر با بیشترین وزن و سایز اشغال شده توسط لینک گرمایی Cu است
اثر تبدیل خروجی نوری به ورودی الکتریکی در حدود ۳۵ درصد میباشد که لیزرهای نیمه هادی بالاترین اثر را نسبت به سایر منابع لیزری دارند. میانگین طول عمر لیزرهای نیمه هادی در حدود ۱۰۵ تا ۱۰۶ ساعت اندازهگیری شده است و دیودهای لیزری در دمای اتاق با نرخ بالای GHZ 12 و به طور مستقیم مدوله میشوند. مشکل ارتباطات فضایی به دلیل عدم کیفیت بالای وسایل طراحی است که با پیشرفت تکنولوژی لیزر نیمه هادی امید به بهبود میباشد
علاوه بر سایز و وزن کم و تأثیر و اطمینان بالا، به دلیل خواص زیر دیودهای ALGaAs جهت کاربردهای فضایی مناسب هستند
۱- انحراف شعاع کم
۲- انتشار طول موج لیزرهای ALGaAs (از ۸/۰ تا ۹/۰ میکرومتر) که یک پیوند عالی با آشکارسازهای نوری سیلیکان بهمنی (APD)[4] است
۳- توان خروجی بیش از mv
در سادهترین تجسم دیود لیزر را یک جعبه لیزر سه بعدی در نظر میگیریم که در آن الکترونها و حفرهها تزریق میشوند تا تعداد جمعیت را معکوس نمایند
دیوارهای جعبه، آینههای تراشدار (در جهت طولی)، لایههایی با اتصال ناجور[۵] (در جهت مورب) و اتصال خط (در جهت افقی) میباشند. وقتی ولتاژی به دیود در جهت مستقیم (به طرف P) به کاربرده میشود تا وقتی باندهای انرژی تخت هستند جریان کمی کشیده میشود
ولتاژ V جهت تخت کردن باندهای انرژی نیاز میباشد تا تقریباً انرژی باند خلأ (ev) لایه میانی نزدیک کند. وقتی ولتاژ بیشتر از ولتاژ باند تخت انرژی یا (زانو) میشود جریان توسط مقاومت ساختار لیزر (۱ تا ۵ اهم) محدود میشود. خروجی نوری در آستانه کم است و وقتی تعداد کافی حاملها جهت معکوس کردن جمعیت به کار روند خروجی نوری افزایش مییابد
۴-۲- طول عمر لیزر نیمه هادی
طول عمر لیزر نیمه هادی اغلب فرض میشود که نمونهای از یک توزیع نرمال لگاریتمی مشابه دیودها و ترانزیستورهای سیلیکاتی و ژرمانیومی میباشد. در توزیع نرمال لگاریتمی طول عمر یک اشل زمانی لگاریتمی با توزیع گوسی است
محیطهای تشعشعی هستهای روی لیزرهای نیمه هادی اثر میگذارد. اطلاعات در دسترس نشان میدهد که دیودهای لیزری به سطوح تشعشعی ۲cm / نوترون ۱۰۱۴ ، ۱۰۸– ۱۰۷ رادیان مجموع دوز تشعشع و ۱۰۱۱ اشعه X سختی بیشتری دارند. در عوض تشعشعاتی ظاهر میشوند که جریان آستانه لیزر را افزایش میدهند، شیفت طول موج میدهند، مد ساختار را عوض میکنند و تأخیر زمانی روشن شدن را افزایش میدهند
افزایش جریان آستانه لیزر به عنوان یک نتیجه از شعاع الکترون، گاما و نوترون که از کاهش اثر تشعشعی به وجود میآید، گزارش شده است. تغییرات مشابه در آستانه لیزر توسط بمباران پروتون رخ میدهد ولی نقصانهای پروتون القاء شده، حفرهها را به دام میاندازد. نتیجتاً بر خلاف سایر تشعشعات بمباران پروتون جذب اپتیکی را افزایش میدهد ولی اثر تشعشعی قابل توجه نیست. معرفی دامهای غیر تشعشعی اضافی توسط شعاع نوترونی جهت افزایش تأخیر زمانی روشن شدن لیزر پیشنهاد میشود. تغییرات در طول موج و مد ساختار لیزر تحت شعاع گاما و الکترون مشاهده میشود
به همین دلیل امروزه به دیودهای لیزری مثل VCSEL روی آورده شده است که به دلیل فواید منحصر به فرد آنها مثل کاهش Threshold، عملکرد موازی و اشعههای متقارن، قابلیت تست روی ویفر، و مدولاسیون پهنای باند وسیع، امروزه VCSEL ها به عنوان منبع نوری اساسی برای کاربردهای نوری در تجهیزات مخابراتی برای ذخیرهی انرژی نوری استفاده میشوند. تحقیقات اخیر روی این قطعات نگرانیهایی را در مورد افزایش تشعشع در طیف مرئی uv و فروسرخ که به وسیلهی طراحیهای جدید به وجود میآید ایجاد کرده است البته این طراحیها باعث بهبود قطعات تشعشعی هم میشود. برای این مشکل یک اشعهی کنترلی بسیار دقیق مورد نیاز است. علیرغم محدودیت روی دیورژانس اشعه، مخصوصاً در رنج °۱۰ تا °۲۰ این دیودهای لیزری باید به وسیلهی المانهای microoptical به هم متصل شوند تا عملکرد کل سیستم بهبود یابد و بتوانیم در زمینههای کابردی جدید از آنها استفاده کنیم و هدف ما هم متصل کردن المانهای microoptical به یک VCSEL جهت کنترل خروجی میباشد
این دستیابیها با استفاده از هر دو تکنولوژی hybrid assembly و direct integration میباشد و با توجه به میزان مقاومتشان در برطرف کردن خطاها و مرتب کردن قطعات در سطح ویفر در آزمایشگاه مقایسه میشوند
لیزر VCSEL
[۱] Heterodyne
[۲] Homodyne
[۳] Coherent
[۴]Avalanche photodetector
[۵] Hetrojunction
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
