مقاله ترانزیستورهای تونلی بر اساس اکسید تیتانیوم برروی ویفر سیلیکان

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله ترانزیستورهای تونلی بر اساس اکسید تیتانیوم برروی ویفر سیلیکان دارای ۷ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله ترانزیستورهای تونلی بر اساس اکسید تیتانیوم برروی ویفر سیلیکان  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله ترانزیستورهای تونلی بر اساس اکسید تیتانیوم برروی ویفر سیلیکان،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله ترانزیستورهای تونلی بر اساس اکسید تیتانیوم برروی ویفر سیلیکان :

تعداد صفحات:۷

چکیده:

در این مقاله ترانزیستورهای تونلی بر اساس ترکیب مناسبی از اکسید تیتانیوم و سیلیساید نیکل برروی ویفر سیلیکان ( ۱۰۰ ) با موفقیت ساخته شده و نتایج مربوط به خواصالکتریکی – فیزیکی این ادوات بررسی می گردند . در این ادوات لایه اکسید تیتانیوم بعنوان سدی در مقابل تونل زنی از لایه بالایی به لایه سیلیساید میانی عمل کرده که با اعمال ولتاژ مناسب پدیده تونل زنی اتفاق افتاده و جریان الکتریکی حادث می گردد. این ساختار همانند ترانزیستورهای دو قطبی عمل کرده و از سه ناحیه امیتر – بیس و کلکتور تشکیل شده که هر سه لایه توسط اکسید تیتانیوم از هم جدا شده اند . لایه نشانی کلیه نواحی این ترانزیستورها توسط تکنیک پراکنش و بصورت پشت سر هم انجام شده است و با انتخاب ضخامتهای مناسب ضریب تقویت جریان برابر با ۱۲ بدست آمده است . در ادامه کار و در جهت بهبود ساختار ترانزیستورها اکسید تیتانیوم با روش بخار شیم یایی استفاده شده است که ضریب دی الکتریکی در حد ۱۹ الی ۲۱ بدست آمده است. همچنین میدان شکستی برابر با ۱۰به توان۷ v/cm حاصل شده است.