مقاله بررسی اثر غلظت وانادیوم بر خواص اپتیکی و الکتریکی لایه نازک نانو ساختار دی اکسید تیتانیوم تهیه شده به روش سل – ژل
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مقاله بررسی اثر غلظت وانادیوم بر خواص اپتیکی و الکتریکی لایه نازک نانو ساختار دی اکسید تیتانیوم تهیه شده به روش سل – ژل دارای ۱۷ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله بررسی اثر غلظت وانادیوم بر خواص اپتیکی و الکتریکی لایه نازک نانو ساختار دی اکسید تیتانیوم تهیه شده به روش سل – ژل کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله بررسی اثر غلظت وانادیوم بر خواص اپتیکی و الکتریکی لایه نازک نانو ساختار دی اکسید تیتانیوم تهیه شده به روش سل – ژل،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله بررسی اثر غلظت وانادیوم بر خواص اپتیکی و الکتریکی لایه نازک نانو ساختار دی اکسید تیتانیوم تهیه شده به روش سل – ژل :
تعداد صفحات :۱۷
در این پژوهش، لایه نازک دی اکسید تیتانیوم آلاییده شده با وانادیوم با غلظتهای مختلف ( ۵/۱،۰ و ۵ درصد وزنی) به روش سل-ژل بر روی زیرلایههای شیشهای رسوب داده شد. خواص ساختاری، آنالیز عنصری، الکتریکی، اپتیکی و زبری سطح لایههای نازک به ترتیب توسط روشهای XRD، DES، LCR meter، طیف سنجی UV-Vis و AFM مورد مطالعه قرار گرفت. نتایج الگوی XRD نشان داد که لایههای نازک دارای ساختار پلی کریستالی تتراگونال و تک فاز آناتاز است. همچنین مشاهده میشود، با افزایش غلظت وانادیوم اندازه بلورینگی دی اکسید تیتانیم کاهش مییابد؛ بهگونهای که اندازه متوسط بلورکها از ۱۷ نانومتر برای دی اکسید تیتانیم خالص به حدود ۷ نانومتر در حالت آلائیده شده (۱ درصد وزنی) کاهش یافته است. بهعلاوه، هیچ فازی مربوط به اکسید وانادیم به علت جایگزینی وانادیم در موقعیت تیتانیم در ساختار دی اکسید تیتانیم تشکیل نشده است. همچنین تصویر FE-SEM از سطح مقطع لایه نازک دی اکسید تیتانیم الائیده شده نشان میدهد که ضخامت لایه حدود ۵۳۶ نانومتر بوده و دانهها بهصورت پیوسته روی یکدیگر رشد کرده و ساختار پلی کریستالی را تشکیل دادهاند. رافنس لایههای نازک دی اکسید تیتانیم خالص و آلائیده شده با وانادیوم حدود ۱۴/۳ نانومتر و ۸۷/۰ نانومتر اندازه گیری شد. مقاومت الکتریکی لایههای نازک TiO2 و آلاییده شده با ۵/۰، ۱ و۵ درصد وزنی به ترتیب مقادیر cm 107×7/16 ، cm 107×7/7 ، cm 107×7/1 و cm 107×8/12 بهدست آمد. علت افزایش مقاومت در ۵ درصد، کاهش موبیلیته با افزایش غلظت حاملها است. مقدار انرژی شکاف نوار با اضافه کردن وانادیم به دی اکسید تیتانیوم از eV 71/3 به eV 44/3 کاهش یافته و در نتیجه لبه جذب به طرف طول موجهای بلندتر جابجا شد.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.