دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور پیدایش اکسیداسیون سیلیکان و روشهای افزایش سرعت نرخ رشد و مقاومت استحکامی آن برای کاربرد ساخت آیسیهایCMOS
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
پیدایش اکسیداسیون سیلیکان و روشهای افزایش سرعت نرخ رشد و مقاومت استحکامی آن برای کاربرد ساخت آیسیهایCMOS دارای ۸ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد پیدایش اکسیداسیون سیلیکان و روشهای افزایش سرعت نرخ رشد و مقاومت استحکامی آن برای کاربرد ساخت آیسیهایCMOS کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی پیدایش اکسیداسیون سیلیکان و روشهای افزایش سرعت نرخ رشد و مقاومت استحکامی آن برای کاربرد ساخت آیسیهایCMOS،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن پیدایش اکسیداسیون سیلیکان و روشهای افزایش سرعت نرخ رشد و مقاومت استحکامی آن برای کاربرد ساخت آیسیهایCMOS :
تعداد صفحات :۸
چکیده مقاله:
با توجه به اهمیت زیادی که سیلیکون در سطح فنآوری دارد و ۲۵ درصد سطح کره زمین را سیلیکان تشکیل میدهد، در صنعت به وفور از این عنصر استفاده CMOS مخصوصا در صنعت آیسیهای میگردد و در این مقاله سعی بر این است در محیطهای آزمایشگاهی و تجربی، دماها و محیطهایی که در آن این عنصر واکنش نشان می دهد را مورد بررسی قرار دهیم. همچنین نرخ رشد اکسید را در این محیطها با توجه به تحقیقات انجام شده و درپی آن استفاده از روشهای جدید برای رشد اکسید در اکسیداسیون سیلیکان و تغییر در نرخ سرعت تشکیل اکسید و افزایش مقاومت آن مورد بحث قرار دهیم. در این زمینه از دهه ۶۰ میلادی تا به امروز با استفاده از روابط تجربی و همچنین اعداد وارقام آزمایشگاهی بدست آمده، چند مقالهی مهم از بدو پیدایش اکسیداسیون تا حالا مطالعه و در نهایت مقایسه آنها از لحاظ نرخ رشد اکسید و افزایش مقاومت استحکامی آنها مد نظر میباشد. در ضمن بیشتر کارههای انجام شده بر روی منحنیها قابل رویت و استناد بوده که در نهایت مورد بررسی قرار خواهند گرفت
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
