خواص مغناطیسی نانولوله گالیوم آرسناید زیگزاگ (۰،۹) آلایش یافته با عناصر واسطه

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 خواص مغناطیسی نانولوله گالیوم آرسناید زیگزاگ (۰،۹) آلایش یافته با عناصر واسطه دارای ۱۳ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد خواص مغناطیسی نانولوله گالیوم آرسناید زیگزاگ (۰،۹) آلایش یافته با عناصر واسطه  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی خواص مغناطیسی نانولوله گالیوم آرسناید زیگزاگ (۰،۹) آلایش یافته با عناصر واسطه،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن خواص مغناطیسی نانولوله گالیوم آرسناید زیگزاگ (۰،۹) آلایش یافته با عناصر واسطه :

نام کنفرانس، همایش یا نشریه : پژوهش فیزیک ایران

تعداد صفحات :۱۳

در این پژوهش خواص الکترونی و مغناطیسی نانولوله زیگزاگ GaAs (0,9) خالص و آلایش یافته با ۱۱.۱۱ درصد عناصر واسطه (Sc, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni) در دو وضعیت دور و نزدیک، با استفاده از رهیافت نظریه تابعی چگالی و تقریب چگالی موضعیLDA توسط کد محاسباتی SIESTA مطالعه شده است. ساختار نواری نشان دهنده این است که نانولوله خالص زیگزاگ GaAs (0,9) نیم رسانای غیرمغناطیسی با گاف نواری مستقیم است.آلایش ۱۱.۱۱ درصد آهن و منگنز جایگزین شده در جایگاه های گالیوم در فاز فرومغناطیس در وضعیت دور و کرم در وضعیت نزدیک حالت فرومغناطیس نشان دهنده خاصیت نیم فلزی با ۱۰۰ درصد قطبش اسپینی است. ساختار منحصر به فرد قطبش اسپینی ترازهای انرژی به هیبریدشدگی بین اوربیتال های تراز ۳d عناصر واسطه و اوربیتال ۴p آرسنایدهای همسایه آن مربوط می شود. نتایج حاصل از این تحقیق می تواند جهت مطالعات تجربی آینده روی نیم رساناهای مغناطیسی رقیق شده مفید واقع گردد. با توجه به نتایج حاصله از این پژوهش، نانولوله های GaAs آلایش یافته با عناصر واسطه، به عنوان کاندیدای مناسب جهت کاربرد در قطعات اسپین ترونیکی پیشنهاد می شود.

کلید واژه: نانولوله گالیوم آرسناید، نیم رسانای مغناطیسی رقیق شده، اسپین ترونیک، نظریه تابعی چگالی، فلزات واسطه