بررسی پاسخ فرکانسی و ترارسانایی تقویت کننده سورس مشترک در فناوری ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 بررسی پاسخ فرکانسی و ترارسانایی تقویت کننده سورس مشترک در فناوری ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی دارای ۸ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد بررسی پاسخ فرکانسی و ترارسانایی تقویت کننده سورس مشترک در فناوری ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی بررسی پاسخ فرکانسی و ترارسانایی تقویت کننده سورس مشترک در فناوری ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن بررسی پاسخ فرکانسی و ترارسانایی تقویت کننده سورس مشترک در فناوری ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی :

تعداد صفحات :۸

چکیده مقاله:

کوچک ترشدن قطعات MOS در مقیاس نانو، سبب انحراف مشخصه ولت-آمپر نسبت به رفتار ایده آل می شود. به عنوان نمونه، در قطعات با طول کانال کوتاه، ولتاژ درین نیز بر روی سد پتانسیل اثر قابل توجهی دارد، به نحوی که سورس، حامل ها را به سطح کانال تزریق می کند بدون این که گیت نقشی داشته باشد و این ناشی از کاهش ارتفاع سد به وسیله درین است.یک جای گزین احتمالی برای فناوری MOS، ترانزیستور اثرمیدانی با نانولوله کربنی است. تحرک پذیری بالای حامل ها در CNT باعث می شود سرعت حامل ها درآن بسیار بیش تر از ترانزیستورهای MOSFET باشد. توان مصرفی کم، ابعاد نانو، نویزپذیری پایین، تشابه نحوه عملکرد با MOSFETها و انتقال پرتابی (بالستیک) حامل ها از نقاط قوت آن ها است. در این مقاله، ضمن بررسی ساختار و مدل CNTFET، اثر تغییر ولتاژ ورودی، تعداد نانولوله ها، گام ها و تغییرکایرالیتی بر جریان و ولتاژ آستانه و مشخصه جریان– ولتاژ یک تقویت کننده سورس مشترک ساده در نرم افزارHSPICE بررسی می شود. همچنین رویت می-شود که در مشخصات یکسان عرض به طول کانال و بایاس یکسان، درناحیه Weak Inversion و حتی Modarate نمودار (g(m)/I(D برحسب جریان نرمالیزه در ترانزیستورCNTFET بالاتراز MOSFET است تا نشان داده شود این فناوری می تواند به عنوان یک انتخاب خوب، جای گزین مناسبی برای MOSFET باشد.