آنالیز و شبیه سازی سه بعدی اثرات مکانیزم های پراکندگی الکترون – فونون در ترانزیستور های نانوسیمی

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 آنالیز و شبیه سازی سه بعدی اثرات مکانیزم های پراکندگی الکترون – فونون در ترانزیستور های نانوسیمی دارای ۸ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد آنالیز و شبیه سازی سه بعدی اثرات مکانیزم های پراکندگی الکترون – فونون در ترانزیستور های نانوسیمی  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی آنالیز و شبیه سازی سه بعدی اثرات مکانیزم های پراکندگی الکترون – فونون در ترانزیستور های نانوسیمی،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن آنالیز و شبیه سازی سه بعدی اثرات مکانیزم های پراکندگی الکترون – فونون در ترانزیستور های نانوسیمی :

تعداد صفحات :۸

چکیده مقاله:

در این مقاله یک ترانزیستور نانو سیمی با طول کانال طویل به صورت سه بعدی شبیه سازی شده است. این شبیه سازی در دو مرحله ، محدوده بالستیک و درحضور اثرات متقابل الکترون – فونون برای تحلیل بهتر اثرات مکانیزم های پراکندگی الکترون – فونون در ترانزیستور های نانو سیمی انجام شده است. برای این شبیه سازی معادلات خود انرژی مکان فضایی با استفاده از تئوری دگردیسی و تقریب Born خودسازگار برای داخل شیارها و مکانیزم پراکندگی فونون داخل شیارها بدست آمده است. البته شایان ذکر است که در تابع گرین ناترازمند از تقریب های اثر جرم و hartree استفاده شده است. نتایج نشان می دهد که جریان درین، انتشار حالتهای چگالی محلی است و انرژی انتقالی از الکترونها در حضور اثرات الکترون – فونون نسبت به محدوده بالستیک کاهش می یابند.