پیادهسازی مدل فشرده مداری ترانزیستورهای اثرمیدانی مبتنی بر نانولوله کربنی

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 پیادهسازی مدل فشرده مداری ترانزیستورهای اثرمیدانی مبتنی بر نانولوله کربنی دارای ۲۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد پیادهسازی مدل فشرده مداری ترانزیستورهای اثرمیدانی مبتنی بر نانولوله کربنی  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی پیادهسازی مدل فشرده مداری ترانزیستورهای اثرمیدانی مبتنی بر نانولوله کربنی،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن پیادهسازی مدل فشرده مداری ترانزیستورهای اثرمیدانی مبتنی بر نانولوله کربنی :

تعداد صفحات :۲۵

چکیده مقاله:

کاهش مقیاس قطعات، نیروی محرکهای در پیشرفت تکنولوژی از آغاز قرن نوزدهم بوده است. تکنولوژی ۶۵ نانومتر در سال ۲۰۰۶ و تکنولوژی ۴۵ نانومتر در سال ۲۰۰۷ مورد استفاده قرار میگرفت. اما کاهش خیلی زیاد مقیاس با برخی از محدودیتهای جدی مواجهه شده است. این محدودیتها به فناوری ساخت و اجرای دستگاه مربوط میشود. در این مقاله ، مدل فشرده مداری ۵ خازنی برای ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانولوله کربنی با استفاده از نرمافزار ADS پیشنهاد شده است. این مدل شامل پراکندگی فونون و جریان تونلزنی باند به باند میباشد. کدی که در verilog-A نوشته شده، توسط ترانزیستور نمادی از ۵ ترمینال به ADS پیوند یافته است. این کد توسط شبیهسازی مشخصات I-V ا ز کانال n و کانال p ، CNTFET بازبینی شده است .در اینجا ضمن محاسبه پارامترها به مقایسه نتایج حاصله نیز پرداخته ایم.ملاحظه می شود نتایج بدست آمده با آنچه در کارهای مشابه گزارش شده است تطابق کامل دارد