بررسی اثر میدان الکتریکی بر جوانه زنی گیاه فلفل

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 بررسی اثر میدان الکتریکی بر جوانه زنی گیاه فلفل دارای ۹ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد بررسی اثر میدان الکتریکی بر جوانه زنی گیاه فلفل  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی بررسی اثر میدان الکتریکی بر جوانه زنی گیاه فلفل،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن بررسی اثر میدان الکتریکی بر جوانه زنی گیاه فلفل :

تعداد صفحات :۹

چکیده مقاله:

با توجه به اهمیت صرفه جویی در مصرف آب و انرژی در گلخانه ها و مراکز تولید نشاء گل، هرچه زمان جوانه زنی بذور سریعتر باشد به این مهم کمک فراوانی کرده و باعث افزایش بهره وری از انرژی آب، فضای گلخانه و زمین می شود، که برای تولید کنندگان توجیه اقتصادی را به دنبال دارد. در این پژوهش تأثیر میدان مغناطیسی بر جوانه زنی بذر فلفل تند بررسی شد. بذور گیاه در میدان مغناطیسی با شدت های ۰.۳۷۶۸ میلی تسلا (۶۰ دور سیم پیچ) و ۰.۵۶۵۲ میلی تسلا( ۹۰ دور سیم پیچ) به مدت ۶ و ۲۴ ساعت قرار گرفت و با شاهد مقایسه گردید. آنالیز طرح در قالب آزمون فاکتوریل برمبنای طرح کاملا تصادفی انجام شد. نتایج حاصل از این آزمایش نشان داد که تیمار های میدان مغناطیسی در مقایسه با شاهد تاثیری معنی داری برجوانه زنی بذر شاخص جوانه زنی رشد ریشه چه و رشد ساقه چه داشت. بیشترین درصد جوانه زنی در تیمار ۲۴ ساعت ۰.۵۶۵۲ میلی تسلا( ۹۰ دور سیم پیچ) بیشترین شاخص جوانه زنی در تیمار ۰۲ ساعت ۰.۵۶۵۲ میلی تسلا( ۹۰ دور سیم پیچ) بیشترین طول ریشه چه در تیمار ۰۲ ساعت ۰.۳۷۶۸ میلی تسلا ( ۶۰ دور سیم پیچ و بیشترین طول ساقه چه در تیمار ۲۴ ساعت۰.۳۷۶۸ میلی تسلا(۶۰ دور سیم پیچ مشاهده شد.