شبیهسازی و تحلیل اثر غلظت آلایش بر روی شاخص فرکانس قطع در ترانزیستور اثرمیدانی نانولوله کربنی با آلایش سبک درین و سورس

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 شبیهسازی و تحلیل اثر غلظت آلایش بر روی شاخص فرکانس قطع در ترانزیستور اثرمیدانی نانولوله کربنی با آلایش سبک درین و سورس دارای ۱۲ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد شبیهسازی و تحلیل اثر غلظت آلایش بر روی شاخص فرکانس قطع در ترانزیستور اثرمیدانی نانولوله کربنی با آلایش سبک درین و سورس  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی شبیهسازی و تحلیل اثر غلظت آلایش بر روی شاخص فرکانس قطع در ترانزیستور اثرمیدانی نانولوله کربنی با آلایش سبک درین و سورس،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن شبیهسازی و تحلیل اثر غلظت آلایش بر روی شاخص فرکانس قطع در ترانزیستور اثرمیدانی نانولوله کربنی با آلایش سبک درین و سورس :

تعداد صفحات :۱۲

چکیده مقاله:

در سالهای اخیر بحث فناوریهای جایگزین برای فناوریCMOS به شدت رونق گرفته است، که در این میان فناوری نانو الکترونیک بسیار مورد توجه پژوهشگران قرار گرفته است. ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی به عنوان یکی ازپرکاربردترین ادوات نانو الکترونیک آینده در حوزهی دیجیتال و آنالوگ در پژوهشهای فراوانی مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفته است، که از جمله کاربرد های آن، در حوزهی فرکانس بالا میباشد. در این پژوهش، ما با استفاده از فرمولبندی تابعگرین غیر تعادلی، تأثیر میزان غلظت آلایش را بر روی شاخص فرکانس قطع افزارهی ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی باآلایش سبک درین و سورس شبیهسازی کرده و مورد تحلیل قرار دادهایم. همچنین ثابت کردهایم که کاهش غلظت آلایش ناحیه با آلایش سبک، اگرچه باعث کاهش نرخ جریان روشن به خاموش، بهخصوص در جریانهای روشن بزرگ میشود، اما عملکرد فرکانسی ترانزیستور را در محدودهی وسیعی از ولتاژ گیت-سورس به خوبی بهبود میبخشد