مقاله طراحی تقویت کننده تفاضلی توان پایین و ولتاژ پایین با استفاده از بایاس وفقی

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله طراحی تقویت کننده تفاضلی توان پایین و ولتاژ پایین با استفاده از بایاس وفقی دارای ۸ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله طراحی تقویت کننده تفاضلی توان پایین و ولتاژ پایین با استفاده از بایاس وفقی  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله طراحی تقویت کننده تفاضلی توان پایین و ولتاژ پایین با استفاده از بایاس وفقی،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله طراحی تقویت کننده تفاضلی توان پایین و ولتاژ پایین با استفاده از بایاس وفقی :

تعداد صفحات:۸
چکیده:
بازار ابزار قابل حمل که به سرعت در حال رشد است تمایل زیادی به مدارهای مجتمع با توان پایین دارد . طراحی مدارهای مجتمع با توان پایین ، نیاز به کاهش ولتاژ منبع و پارازیت های اتصالات داخلی تا کمترین مقدار ممکن دارد اما کاهش ولتاژ منبع مشکلاتی را نیز به طراحی مدار وارد می کند . برای رفع این مشکل ، از یک تقویت کننده عملیاتی که با ساختار کاملاً تفاضلی دو طبقه ای CMOS ،کلاس AB که با توان و ولتاژ بسیار پایین به مقدار ۰۴v با کمترین اتلاف کار می کند ، پیشنهاد شده است .در تقویت کننده عملیاتی طراحی شده همه ی ترانزیستورها در ناحیه زیر آستانه بایاس شده اند. برای اینکه مدار طراحی شده از CMRR خوبی برخوردار باشد، از مدارCMFF استفاده گردیده است. تقویت کننده عملیاتی طراحی شده در تکنولوژی ۹۰nm در شبیه ساز HSPICE طراحی و شبیه سازی شده است.