مقاله بررسی تأثیر هدایت الکتریکی و عمق آبخوان بر روی داده های تشدید مغناطیسی پروتون

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله بررسی تأثیر هدایت الکتریکی و عمق آبخوان بر روی داده های تشدید مغناطیسی پروتون دارای ۹ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله بررسی تأثیر هدایت الکتریکی و عمق آبخوان بر روی داده های تشدید مغناطیسی پروتون  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله بررسی تأثیر هدایت الکتریکی و عمق آبخوان بر روی داده های تشدید مغناطیسی پروتون،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله بررسی تأثیر هدایت الکتریکی و عمق آبخوان بر روی داده های تشدید مغناطیسی پروتون :

تعداد صفحات:۹
چکیده:
سونداژ تشدید مغناطیسی (MRS) یا تشدید مغناطیسی پروتون (PMR) یک تکنیک نسبتاً جدید ژئوفیزیکی است که بطور خاص برای کاربردهای هیدروژئولوژی و برآورد مستقیم خصوصیات هیدرولیکی خاک ها، آبخوان ها و مخازن زیر سطحی طراحی شده است. این روش مبتنی بر اصل تشدید مغناطیسی هسته ای (NMR) بوده و آب های آزاد نفوذی در زیر سطح زمین را هدف قرار می دهد و با شناسائی مولکول آب آزاد درون حفره ها به طور مستقیم، دو پارامتر مهم پتروفیزیکی سازندهای زیر سطحی، یعنی تخلخل و تراوایی (میزان آب آزاد) را بصورت مستقیم اندازه گیری می کند. هدف از انجام این تحقیق معرفی روش فوق و بررسی اثر هدایت الکتریکی و عمق آبخوان بر روی پاسخ های NMR سطحی حاصل از طریق مدل سازی پیشرو می باشد.