دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور مقاله مهندسی ساختار ترانزیستور اثر میدانی با تونل زنی باند به باند مبتنی بر نانونوار گرافین
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مقاله مهندسی ساختار ترانزیستور اثر میدانی با تونل زنی باند به باند مبتنی بر نانونوار گرافین دارای ۶ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله مهندسی ساختار ترانزیستور اثر میدانی با تونل زنی باند به باند مبتنی بر نانونوار گرافین کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله مهندسی ساختار ترانزیستور اثر میدانی با تونل زنی باند به باند مبتنی بر نانونوار گرافین،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله مهندسی ساختار ترانزیستور اثر میدانی با تونل زنی باند به باند مبتنی بر نانونوار گرافین :
تعداد صفحات:۶
چکیده:
در این مقاله ساختار اصلاح شده ای برای ترانزیستورهای اثر میدانی با تونل زنی باند به باند پیشنهاد شده است در این ساختار با ثابت نگه داشتن خصوصیات حالت روشن ترانزیستور به ویژه سوئینگ زیر آستانه جریان خاموشی و ambipolar آنرا کاهش دادیم بدین منظور از یک ساختار گیت دو ماده ای و آلایش سبک در بخشی از ناحیه درین استفاده نمودیم. شبیه سازی با استفاده از روال تابع گرین غیر تعادلی در حالت بالستیک انجام شده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد جریان خاموشی و ambipolar بسیار کاهش یافته است ضمن اینکه خصوصیات حالت روشنایی تقریبا بدون تغییر باقی می ماند. همچنین خصوصیات سوئیچینگ ساختار پیشنهادی مانند تاخیر ذاتی حاصلضرب تاخیر در توان و نسبت جریان روشنایی به جریان خاموشی بهبود یافته است.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
