مقاله بررسی تاثیر عملیات آلتراسونیک بر تولید نانو سیم های کبالت به روش رسوب دهی الکتروشیمیایی جریان متناوب در داخل تمپلیت اکسید آلومینیوم

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله بررسی تاثیر عملیات آلتراسونیک بر تولید نانو سیم های کبالت به روش رسوب دهی الکتروشیمیایی جریان متناوب در داخل تمپلیت اکسید آلومینیوم دارای ۱۴ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله بررسی تاثیر عملیات آلتراسونیک بر تولید نانو سیم های کبالت به روش رسوب دهی الکتروشیمیایی جریان متناوب در داخل تمپلیت اکسید آلومینیوم  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله بررسی تاثیر عملیات آلتراسونیک بر تولید نانو سیم های کبالت به روش رسوب دهی الکتروشیمیایی جریان متناوب در داخل تمپلیت اکسید آلومینیوم،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله بررسی تاثیر عملیات آلتراسونیک بر تولید نانو سیم های کبالت به روش رسوب دهی الکتروشیمیایی جریان متناوب در داخل تمپلیت اکسید آلومینیوم :

تعداد صفحات:۱۴

چکیده:

آرایه نانو سیم هاب کبالت با روش های مختلفی تولید می شوند که یکی از روش های بهینه آن رسوب دهی الکتروشیمیایی در داخل تمپلیت های اکسید آلومینوم منظم (AAO) با حفرات نانو متری هستند. در این تحقیق تمپلیت اکسید آلومینیوم منظم به روش آندایزینگ دو مرحله ای در اسید اگزالیک تولید شد. نانو سیم های کبالت به روش لایه نشانی الکتروشیمیایی جریان متناوب در داخل تمپلیت منظم اکسید آلومینیوم ساخته شدند. تاثیر اعمال امواج فراصوتی (آلتراسونیک) بر رشد نانو سیم ها مورد بررسی قرار گرفت. جهت بررسی نحوه آندایزینگ و رشد لایه اکسیدی و نحوه رسوب دهی نانو سیم ها از منحنی های جریان – زمان استفاده گردید. مورفولوژی سطح تمپلیت اکسید آلومینیوم منظک و نانو سیم های کبالت تولید شده با استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (FESEM) مورد بررسی قرار گرفت. ریز ساختار نانو سیم ها با استفاده از پراش اشعه ایکس (XRD) مورد بررسی قرار گرفته است. مطالعات نشان دهنده تاثیر گسترده امواج فراصوتی بر ساختار لایه اکسیدی، منحنی های جریان-زمان و رشد نانوسیم ها می باشد. بطوریکه عدم استفاده از آن سبب کاهش سرعت نانو سیم ها و افزایش توان آلتراسونیک سبب شکست لایه اکسیدی در حین رسوب دهی و اعمال امواج فراصوتی می شود.