دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور مقاله بررسی اثر کوچک سازی اندازه گیت و تاثیر لایه سرپوش شاتکی بر روی عملکرد ترانزیستور AlGaN/GaN HEMT
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مقاله بررسی اثر کوچک سازی اندازه گیت و تاثیر لایه سرپوش شاتکی بر روی عملکرد ترانزیستور AlGaN/GaN HEMT دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله بررسی اثر کوچک سازی اندازه گیت و تاثیر لایه سرپوش شاتکی بر روی عملکرد ترانزیستور AlGaN/GaN HEMT کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله بررسی اثر کوچک سازی اندازه گیت و تاثیر لایه سرپوش شاتکی بر روی عملکرد ترانزیستور AlGaN/GaN HEMT،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله بررسی اثر کوچک سازی اندازه گیت و تاثیر لایه سرپوش شاتکی بر روی عملکرد ترانزیستور AlGaN/GaN HEMT :
تعداد صفحات:۵
چکیده:
یک مدل تحلیلی جامع برای محاسبه جریان و پارامترهای سیگنال کوچک مانند در این مقاله gm و فرکانس قطع برای قطعه HEMT (ترانزیستور با تحرک پذیری بالا) به منظور بررسی عملکرد میکروویو قطعه ارائه شده است. همچنین وابستگی عملکرد قطعه همت به پارامترهای فیزیکی از جمله اندازه گیت و حضور سر پوش شاتکی مورد بررسی قرارگرفته و مقادیر مناسب پارامتر ها برای بهینه سازی ساختار و بهبود عملکرد قطعه تعیین شده اند.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
