مقاله بررسی اثر ترازهای تله ای بر جریان گیت ترانزیستورهای با تحرک پذیری بالای الکترونی Al 0 . 25 Ga 0 . 75 N / GaN
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مقاله بررسی اثر ترازهای تله ای بر جریان گیت ترانزیستورهای با تحرک پذیری بالای الکترونی Al 0 . 25 Ga 0 . 75 N / GaN دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله بررسی اثر ترازهای تله ای بر جریان گیت ترانزیستورهای با تحرک پذیری بالای الکترونی Al 0 . 25 Ga 0 . 75 N / GaN کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله بررسی اثر ترازهای تله ای بر جریان گیت ترانزیستورهای با تحرک پذیری بالای الکترونی Al 0 . 25 Ga 0 . 75 N / GaN،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله بررسی اثر ترازهای تله ای بر جریان گیت ترانزیستورهای با تحرک پذیری بالای الکترونی Al 0 . 25 Ga 0 . 75 N / GaN :
تعداد صفحات:۵
چکیده:
در ترانزیستورهای اثر میدان ساختارهای نامتجانس AlGaN/GaN ترازهای تله ای سطحی متناظر با نواحی گیت نشده بین گیت ودرین و نیز ترازهای تله ای موجود در لایه AlGaN باعث نشت جریان گیت از فلز گیت به گاز الکترونی دو بعدی وبه درین می شوند . وهمچنین این ترازها از جمله عوامل ایجاد نویز در این ترانزیستورها می باشند . در این مقاله یک مدل تئوری بر اساس تونل زنی وابسته به ترازهای تله ای لایه AlGaN ونیز جریانهای نشتی ایجاد شده بواسطه ترازهای تله ای سطحی ارائه شده است . جریان نشتی محاسبه شده از مدل فوق سازگاری بسیار خوبی با نتایجتجربی دارد
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.