مقاله بررسی اثر ترازهای تله ای بر جریان گیت ترانزیستورهای با تحرک پذیری بالای الکترونی Al 0 . 25 Ga 0 . 75 N / GaN


در حال بارگذاری
مقاله بررسی اثر ترازهای تله ای بر جریان گیت ترانزیستورهای با تحرک پذیری بالای الکترونی Al 0 . 25 Ga 0 . 75 N / GaN
23 اکتبر 2022
فایل ورد و پاورپوینت
2120
1 بازدید
۷۹,۷۰۰ تومان
خرید

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله بررسی اثر ترازهای تله ای بر جریان گیت ترانزیستورهای با تحرک پذیری بالای الکترونی Al 0 . 25 Ga 0 . 75 N / GaN دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله بررسی اثر ترازهای تله ای بر جریان گیت ترانزیستورهای با تحرک پذیری بالای الکترونی Al 0 . 25 Ga 0 . 75 N / GaN  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله بررسی اثر ترازهای تله ای بر جریان گیت ترانزیستورهای با تحرک پذیری بالای الکترونی Al 0 . 25 Ga 0 . 75 N / GaN،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله بررسی اثر ترازهای تله ای بر جریان گیت ترانزیستورهای با تحرک پذیری بالای الکترونی Al 0 . 25 Ga 0 . 75 N / GaN :

تعداد صفحات:۵

چکیده:

در ترانزیستورهای اثر میدان ساختارهای نامتجانس AlGaN/GaN ترازهای تله ای سطحی متناظر با نواحی گیت نشده بین گیت ودرین و نیز ترازهای تله ای موجود در لایه AlGaN باعث نشت جریان گیت از فلز گیت به گاز الکترونی دو بعدی وبه درین می شوند . وهمچنین این ترازها از جمله عوامل ایجاد نویز در این ترانزیستورها می باشند . در این مقاله یک مدل تئوری بر اساس تونل زنی وابسته به ترازهای تله ای لایه AlGaN ونیز جریانهای نشتی ایجاد شده بواسطه ترازهای تله ای سطحی ارائه شده است . جریان نشتی محاسبه شده از مدل فوق سازگاری بسیار خوبی با نتایجتجربی دارد

  راهنمای خرید:
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.