دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور مقاله شبیه سازی ترابرد الکترونها در ترانزیستور اثر میدان SiGe برای کاربرد در توان و بهره بالا
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مقاله شبیه سازی ترابرد الکترونها در ترانزیستور اثر میدان SiGe برای کاربرد در توان و بهره بالا دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله شبیه سازی ترابرد الکترونها در ترانزیستور اثر میدان SiGe برای کاربرد در توان و بهره بالا کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله شبیه سازی ترابرد الکترونها در ترانزیستور اثر میدان SiGe برای کاربرد در توان و بهره بالا،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله شبیه سازی ترابرد الکترونها در ترانزیستور اثر میدان SiGe برای کاربرد در توان و بهره بالا :
تعداد صفحات:۵
چکیده:
شبیه سازی مونتو کارلو برای ترابرد الکترونها در حالات پایدار و نا پایدار ترانزیستور اثر میدان ساخته شده از ماده SiGe انجام پذیرفته است . مشخصه های ترابرد برای ترانزیستور شبیه سازی شده توافق خوبی را با نمونه های آزمایشگاهی نشان می دهد . همچنین پاسخ فرکانسی ترانزیستور بررسی و I-V الکترونها و نمودار مقدار بهره جریانی از مرتبه ۹۰±۱۰ GHz برای آن بدست آمده است
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
