دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور یک تمام جمع کننده با نشتی فوق العاده پایین و سرعت بالا با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانو نوار گرافینی (GNRFET)
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
یک تمام جمع کننده با نشتی فوق العاده پایین و سرعت بالا با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانو نوار گرافینی (GNRFET) دارای ۱۰ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد یک تمام جمع کننده با نشتی فوق العاده پایین و سرعت بالا با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانو نوار گرافینی (GNRFET) کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی یک تمام جمع کننده با نشتی فوق العاده پایین و سرعت بالا با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانو نوار گرافینی (GNRFET)،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن یک تمام جمع کننده با نشتی فوق العاده پایین و سرعت بالا با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانو نوار گرافینی (GNRFET) :
تعداد صفحات :۱۰
چکیده مقاله:
ترانزیستورهای اثر میدان نانو نوار گرافینی (GNRFET ها) رقیب تکنولوژی MOSFET معمولی با توجه به قابلیت های درایو جریان بالاتر، حمل و نقل بالستیک، حاصلضرب تاخیر در توان کمتر و پایداری حرارتی بالاترشان می باشند. بر اساس این خواص امیدوار کننده GNRFET ها، در این مقاله نخست یک سلول XOR جدید ولتاژ پایین با نشتی فوق العاده مبتنی بر ترانزیستور اثر میدان نانو نوار گرافینی (GNRFET) پیشنهاد شده و سپس در ساختار یک سلول تمام جمع کننده یک بیتی استفاده شده است. سلول تمام جمع کننده پیشنهاد شده دارای ۱۸ ترانزیستور می باشد. این طرح از ویژگی های منحصر به فرد GNRFET های شبه MOSFET برای دستیابی به عملکرد بالا بهره می گیرد. شبیه سازی ها با استفاده از HSPICE Synopsys با فن آوری ۱۶nm MOS-GNRFET به انجام رسیدند. نتایج شبیه سازی برتری طراحی پیشنهادی از نظر سرعت و حاصلضرب تاخیر در توان (PDP) را در مقایسه با ساختارهای مرسوم نشان می دهد.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
