دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور بررسی اثر تغییر ثابت دی الکتریک گیت بر عملکرد ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی تونل زنی با حل عددی خودسازگار معادلات پواسون و شرودینگر
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
بررسی اثر تغییر ثابت دی الکتریک گیت بر عملکرد ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی تونل زنی با حل عددی خودسازگار معادلات پواسون و شرودینگر دارای ۱۰ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد بررسی اثر تغییر ثابت دی الکتریک گیت بر عملکرد ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی تونل زنی با حل عددی خودسازگار معادلات پواسون و شرودینگر کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی بررسی اثر تغییر ثابت دی الکتریک گیت بر عملکرد ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی تونل زنی با حل عددی خودسازگار معادلات پواسون و شرودینگر،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن بررسی اثر تغییر ثابت دی الکتریک گیت بر عملکرد ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی تونل زنی با حل عددی خودسازگار معادلات پواسون و شرودینگر :
تعداد صفحات :۱۰
چکیده مقاله:
در این مقاله به بررسی اثر تغییر ثابت دی الکتریک گیت بر رفتار ترانزیستور اثر میدانی تونل زنی مبتنی بر نانولوله کربنی پرداخته شده است. برای مطالعه وشبیه سازی ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی تونلزنی از حل عددی خودسازگار معادله های پواسون- شرودینگر و روش تابع گرین غیرتعادلی استفاده شده است. نتایج شبیه سازی نشان میدهد با افزایش اثر ثابت دی الکتریک گیت جریان حالت خاموش کاهش قابل توجهی دارد و در نتیجه موجب افزایش نسبت جریان حالت روشن به جریان حالت خاموش میگردد. علاوه بر این نوسان زیرآستانه که از مولفه های مهم ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی تونل زنی است با افزایش ثابت دیالکتریک کمتر میشود. بررسیهای انجام شده در طول گیت ۲۰ نانومتر نشان میدهد ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی تونل زنی با k بالاتر باعث اصلاح الگوی توزیع پتانسیل و میدان در سمت درین میگردد و این امر شیب پتانسیل را کاهش میدهد در نتیجه باعث پهنتر شدن سد، در ناحیه کانال- درین میشود. علاوه بر این گستردگی سد باعث کاهش احتمال تونلزنی نوار به نوار، کاهش جریان نشتی و بهبود رفتار آمبایپلار در افزاره شده است.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
