مطالعه نظری توزیع شدت در ساختار ارتعاشی جهش الکترونی مجاز (فرمول درمتن مقاله) در مولکول سیس هگزاتری ان

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 مطالعه نظری توزیع شدت در ساختار ارتعاشی جهش الکترونی مجاز (فرمول درمتن مقاله) در مولکول سیس هگزاتری ان دارای ۸ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مطالعه نظری توزیع شدت در ساختار ارتعاشی جهش الکترونی مجاز (فرمول درمتن مقاله) در مولکول سیس هگزاتری ان  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مطالعه نظری توزیع شدت در ساختار ارتعاشی جهش الکترونی مجاز (فرمول درمتن مقاله) در مولکول سیس هگزاتری ان،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مطالعه نظری توزیع شدت در ساختار ارتعاشی جهش الکترونی مجاز (فرمول درمتن مقاله) در مولکول سیس هگزاتری ان :

تعداد صفحات :۸

چکیده مقاله:

دراین تحقیق، روش حیطه زمان برای محاسبه ساختار ارتعاشی الکترونی طیف جذبی ۱۱A1 11B1مولکول سیس ۱،۳،۱ هگزاتریان در تقریب کوندون در دمای صفر کلوین به کار برده شده است. در این روش، طیف جذبی مولکولها را میتوان برحسب تبدیل فوریه توابع همبستگی زمانی مناسب به دست آورد که برای سطوح پتانسیل هماهنگ جابهجا شده تغییر شکل یافته چرخیده به شکل بسته محاسبه میشوند. بدین ترتیب، شدت نسبی اغلب نوار های ارتعاشی الکترونی را که در طیف جذبی ظاهر شدهاند، پیشبینی و با دادههای تجربی و نظری در دسترس مقایسه شده است. طیف حاصل عمدتا از نوارهایی شامل سه شیوه متقارن کامل v5 (کششی پیوند دوگانه CC )، v9 (کششی پیوند ساده ( CC و ۱۲v (خمشی زاویهای اسکلتی) تشکیل می شود که از میان آنها ۵v و ۹ v شیوههای ارتعاشی هستند که طولانی ترین تسلسلها را بنا میکنند و بالاترین شدت را دارند؛ در صورتی که ۲۱v فعالیت کمتری دارد. طیف، همچنین، نوارهای ترکیبی مانند ۵۱ ۹۱ و ۵۱ ۱۲۱ را نشان میدهد که به وسیله شیوههای a1 ایجاد میشوند.