بررسی مشخصه های الکتریکی AlGaN/GaN-HEMT با واردکردن لایه P در لایه سد در دو سمت سورس و درین


در حال بارگذاری
بررسی مشخصه های الکتریکی AlGaN/GaN-HEMT با واردکردن لایه P در لایه سد در دو سمت سورس و درین
23 اکتبر 2022
فایل ورد و پاورپوینت
2120
2 بازدید
۷۹,۷۰۰ تومان
خرید

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 بررسی مشخصه های الکتریکی AlGaN/GaN-HEMT با واردکردن لایه P در لایه سد در دو سمت سورس و درین دارای ۸ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد بررسی مشخصه های الکتریکی AlGaN/GaN-HEMT با واردکردن لایه P در لایه سد در دو سمت سورس و درین  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی بررسی مشخصه های الکتریکی AlGaN/GaN-HEMT با واردکردن لایه P در لایه سد در دو سمت سورس و درین،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن بررسی مشخصه های الکتریکی AlGaN/GaN-HEMT با واردکردن لایه P در لایه سد در دو سمت سورس و درین :

سال انتشار : ۱۳۹۶

نام کنفرانس، همایش یا نشریه : مهندسی برق و مهندسی کامپیوتر ایران – الف مهندسی برق

تعداد صفحات :۸

در این مقاله، یک ترانزیستور HEMT گالیم نیترایدی با یک لایه نیمه هادی نوع P در لایه سد در هر دو سمت سورس و درین (SD-PL) مورد بررسی قرار می گیرد. مهم ترین پارامترهای الکتریکی این ترانزیستور را مانند خازن گیت- سورس، خازن گیت- درین، هدایت انتقالی، فرکانس قطع، میدان الکتریکی افقی، ولتاژ شکست، هدایت خروجی و جریان درین اشباع به وسیله نرم افزار دوبعدی اطلس شبیه سازی می کنیم. نتایج شبیه سازی شده در ساختار پیشنهادی با دو ساختار دیگر با لایه P در سمت سورس (SD-PL) و لایه P در سمت درین (D-PL) و ساختار مرسوم مقایسه می شوند. مطابق نتایج به دست آمده، ساختار پیشنهادی باعث بهبود خازن گیت- سورس، ماکسیمم هدایت انتقالی، فرکانس قطع و هدایت خروجی در مقایسه با ساختار D-PL می گردد. همچنین این ساختار جدید باعث کاهش ماکسیمم میدان الکتریکی در گوشه گیت سمت درین شده و در نتیجه، ولتاژ شکست را به میزان قابل ملاحظه ای در مقایسه با ساختار مرسوم افزایش می دهد. افزایش طول (LP) و ضخامت (TP) لایه P در ساختارهای SD-PL و S-PL باعث بهبود ولتاژ شکست، خازن گیت- سورس، خازن گیت- درین و هدایت خروجی خواهد شد.

کلید واژه: HEMT، خازن گیت، هدایت انتقالی، میدان الکتریکی، هدایت خروجی، ولتاژ شکست

  راهنمای خرید:
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.